[发明专利]一种太阳能电池及制备方法

权利要求书

1.一种太阳能电池，其特征在于，所述电池包括太阳能基板和电极；所述太阳能基板包括衬底层、设置在所述衬底层正面的掺杂层、设置在所述衬底层背面的第一氧化硅膜层和钝化层，所述第一氧化硅膜层设置在所述衬底层和所述钝化层之间；

所述电极包括第一电极和第二电极，所述第一电极设置在所述太阳能基板的正面，连接所述掺杂层；所述第二电极设置在所述太阳能基板的背面，连接所述衬底层。

2.根据权利要求1所述的电池，其特征在于，所述电池还包括设置在N型掺杂层表面的第二氧化硅膜层。

3.根据权利要求2所述的电池，其特征在于，所述电池还包括减反膜，所述减反膜设置在所述钝化层和所述第二氧化硅膜层表面。

4.根据权利要求1所述的电池，其特征在于，所述衬底层为硅衬底层。

5.根据权利要求4所述的电池，其特征在于，所述衬底层为P型硅衬底层，所述掺杂层为N型掺杂层。

6.根据权利要求1所述的电池，其特征在于，所述第一氧化硅膜层的厚度的取值范围为：5nm至15nm。

7.一种太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

在衬底层的正面进行扩散，以形成掺杂层；

在所述衬底层的背面制备第一氧化硅膜层；

在所述第一氧化硅膜层的表面制备钝化层，以形成太阳能基板；

在所述太阳能基板的正面形成第一电极，所述第一电极连接所述掺杂层；

在所述太阳能基板的背面形成第二电极，所述第二电极连接所述衬底层，以制备出太阳能电池。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，在所述在衬底层的正面进行扩散，以形成掺杂层之后，所述方法还包括：

在所述掺杂层表面制备第二氧化硅膜层。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，在所述第一氧化硅膜层的表面制备钝化层之后，所述方法还包括：

在所述钝化层和所述第二氧化硅膜层的表面均形成减反膜。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述在衬底层的正面进行扩散之前，还包括：

在所述衬底层表面制绒；

所述在衬底层的正面进行扩散之后，还包括：

对所述衬底层背面进行抛光。