[发明专利]可变增益跨阻放大器

权利要求书

1.一种可变增益跨阻放大器，其特征在于，包括：电流镜预放大器(101)、高通滤波器(102)及后电压放大器(103)；

其中，所述高通滤波器(102)分别电连接所述电流镜预放大器(101)和所述后电压放大器(103)；所述电流镜预放大器(101)和所述后电压放大器(103)并接于电源端(VDD)和接地端(GND)之间。

2.根据权利要求1所述的可变增益跨阻放大器，其特征在于，所述电流镜预放大器(101)包括第一电流源(I_b1)、第二电流源(I_b2)、第一NMOS管(M₁)、第二NMOS管(M₂)、第三NMOS管(M₃)、第四NMOS管(M₄)、电位平移器(1011)、可控电流源(1012)以及可变电阻单元(1013)；其中，

所述第一电流源(I_b1)、所述第一NMOS管(M₁)以及所述第二NMOS管(M₂)串接于所述电源端(VDD)和所述接地端(GND)之间；所述电位平移器(1011)和所述第二电流源(I_b2)串接于所述电源端(VDD)和所述接地端(GND)之间；所述可变电阻单元(1013)、所述第三NMOS管(M₃)以及所述第四NMOS管(M₄)串接于所述电源端(VDD)和所述接地端(GND)之间；所述第一NMOS管(M₁)和所述第三NMOS管(M₃)的栅极均电连接至偏置电压端(V_b)；所述电位平移器(M₅)的栅极电连接至所述第一电流源(I_b1)和所述第一NMOS管(M₁)串接形成的节点(A)处；所述第二NMOS管(M₂)和所述第四NMOS管(M₄)的栅极电连接至所述电位平移器(M₅)和所述第二电流源(I_b2)串接形成的节点(B)处；

所述节点(B)、所述第三NMOS管(M₃)的栅极、所述接地端(GND)以及所述可变电阻单元(1013)和所述第三NMOS管(M₃)串接形成的节点(C)均电连接所述可控电流源(1012)。

3.根据权利要求2所述的可变增益跨阻放大器，其特征在于，所述电位平移器(1011)为第五NMOS管(M₅)。

4.根据权利要求2所述的可变增益跨阻放大器，其特征在于，所述可变电阻单元(1013)为可变电阻(R_L)。

5.根据权利要求2所述的可变增益跨阻放大器，其特征在于，所述可变电阻单元(1013)包括：第一开关管(K₁)、第二开关管(K₂)、第三开关管(K₃)、第四开关管(K₄)、第一电阻(R₁)、第二电阻(R₂)、第三电阻(R₃)以及第四电阻(R₄)；其中，所述第一开关管(K₁)和所述第一电阻(R₁)、所述第二开关管(K₂)和所述第二电阻(R₂)、所述第三开关管(K₃)和所述第三电阻(R₃)以及所述第四开关管(K₄)和所述第四电阻(R₄)均串接于所述电源端(VDD)和所述第三NMOS管(M₃)的漏极之间。