[发明专利]半导体发光元件

说明书

本发明公开一种半导体发光元件，包含一半导体堆叠，具有一第一半导体层，一第二半导体层以及一主动层；多个第一沟槽穿过第二半导体层及主动层以露出第一半导体层；一第二沟槽穿过第二半导体层及主动层以露出第一半导体层，其中第二沟槽靠近主动层的一最外侧，并环绕主动层及多个第一沟槽；一图案化金属层位于第二半导体层上，及多个第一沟槽之一内或第二沟槽内；以及一第一焊接部和一第二焊接部位于第二半导体层上，并分别电连接至第二半导体层和第一半导体层。

技术领域

本发明涉及一种半导体发光元件的结构。

背景技术

发光二极管(Light-emitting Diode；LED)目前已经广泛地使用在光学显示装置、交通号志、数据存储装置、通讯装置、照明装置与医疗器材上。如图2所示，现有的LED具有一n型半导体层1104、一主动层1106与一p型半导体层1108依序形成于一基板1102之上，部分p型半导体层1108与主动层1106被移除以曝露部分n型半导体层1104，一p型电极a1与一n型电极a2分别形成于p型半导体层1108与n型半导体层1104之上。因为n型电极a2需要足够的面积以利后续制作工艺进行，例如打线，所以大部分的主动层1106被移除，导致发光效率降低。

此外，上述的LED还可以进一步地与其他元件组合连接以形成一发光装置(light-emitting apparatus)。图1为现有的发光装置结构示意图，如图1所示，一发光装置1200包含一具有至少一电路1204的次载体(sub-mount)1202；至少一焊料1206(solder)位于上述次载体1202上，通过此焊料1206将上述LED 1210粘结固定于次载体1202上并使LED 1210的基板1212与次载体1202上的电路1204形成电连接；以及，一电连接结构1208，以电连接LED1210的电极1214与次载体1202上的电路1204；其中，上述的次载体1202可以是导线架(leadframe)或大尺寸镶嵌基底(mounting substrate)，以便发光装置的电路规划并提高其散热效果。

发明内容

一种半导体发光元件，包含一半导体堆叠，具有一第一半导体层，一第二半导体层以及一主动层位于第一半导体层与第二半导体层之间，其中第一半导体层包含一周围表面以环绕主动层；多个通孔穿过半导体堆叠以露出第一半导体层；一图案化金属层位于多个通孔上，并覆盖第一半导体层的周围表面；一第一焊接部位于半导体堆叠上，并电连接至第一半导体层；以及一第二焊接部位于半导体堆叠上，并电连接至第二半导体层。

一种半导体发光元件，包含一外周围及一半导体堆叠，具有一第一半导体层，一第二半导体层以及一主动层位于第一半导体层与第二半导体层之间，其中第一半导体层包含一周围表面沿着半导体发光元件的外周围；多个通孔穿过半导体堆叠以露出第一半导体层；以及一图案化金属层位于多个通孔上，并覆盖第一半导体层的周围表面，其中图案化金属层包含一面积大于主动层的一面积。

一种半导体发光元件，包含一半导体堆叠，具有一第一半导体层，一第二半导体层以及一主动层位于第一半导体层与第二半导体层之间；多个第一沟槽穿过第二半导体层及主动层以露出第一半导体层；一第二沟槽穿过第二半导体层及主动层以露出第一半导体层，其中第二沟槽靠近主动层的最外侧，并环绕主动层及多个第一沟槽；一图案化金属层位于第二半导体层上，及多个第一沟槽之一内或第二沟槽内；一第一焊接部位于第二半导体层上，并电连接至第二半导体层；以及一第二焊接部位于第二半导体层上，并电连接至第一半导体层。

一种半导体发光元件，包含一半导体堆叠，具有一第一半导体层，一第二半导体层以及一主动层位于第一半导体层与第二半导体层之间，其中第一半导体层包含一周围侧表面以环绕主动层，且周围侧表面连接至第一半导体层的一上表面；多个沟槽穿过主动层及第二半导体层以露出第一半导体层的上表面，其中多个沟槽靠近第一半导体层的周围侧表面；以及一图案化金属层位于第二半导体层上，具有一第一金属区域及一第二金属区域，其中第二金属区域位于多个沟槽之一上，并覆盖第一半导体层的周围侧表面。