[发明专利]用于硼硅酸盐玻璃的熔窑

说明书

技术领域

本发明涉及玻璃生产技术领域，特别是涉及一种用于硼硅酸盐玻璃的熔窑。

背景技术

通常高硼硅玻璃指玻璃成分中氧化硼含量大于10％的硅酸盐玻璃，高硼硅玻璃由于熔制温度和成型温度均很高，熔制时硼挥发以及容易产生分相、分层及熔窑耐火材料侵蚀速度快等问题。高硼硅玻璃的熔制温度都在1650℃以上，比普通钠钙硅玻璃熔制温度高150℃以上，采用常规火焰加热与电辅助加热结合的方式来生产高硼硅玻璃时硼的挥发率高达10～20％。熔窑中硼的挥发不仅使生产成本大增，而且熔窑中密度较轻的二氧化硅易在表层富集，密度较大的氧化铝下沉，使得高硼硅玻璃在池深上各层玻璃液的化学成分出现明显不同，随着温度的降低，玻璃的粘度加大，玻璃的分层、分相现象加剧严重，玻璃的化学均匀性进一步降低，在生产浮法玻璃时板面条纹重，玻璃板面的斑马角低，严重影响了浮法玻璃的产品质量。同时，由于高硼硅玻璃高温粘度大，不利于玻璃中气泡的排除。目前高硼硅玻璃的澄清普遍采用氯化钠作为澄清剂，其主要用于消除玻璃中的大气泡，对于较小气泡澄清效果并不明显。

高硼硅玻璃中硼的挥发主要发生在1000℃以前，即玻璃液形成阶段之前。因此，对于熔化量不太大、玻璃质量要求没有浮法玻璃严的日用高硼硅器皿玻璃，大部分生产商就摒弃了上述传统的火焰加热或火焰与电辅助相结合的熔化方式，而是采用冷顶式全电熔熔化技术的电熔窑来生产。中国实用新型专利《垂直冷顶熔制硼硅浮法玻璃双拼式全电熔窑》，授权公告号CN2878376，该专利中，玻璃熔窑的内部包括熔化区和澄清区，玻璃熔窑长边一侧的熔窑壁上部开有进料口；熔化区位于澄清区的上方；澄清区池壁一侧的下部设有流液洞，玻璃熔窑的流液洞分别连接上升道的一端进料口，上升道的另一端连接供料道。

由于电熔窑为垂直熔化方式，挥发的氧化硼能在冷顶式电熔窑的顶部冷凝下来，这样就大大地减少了熔窑中硼的挥发，其挥发率一般仅为1～2％。但是全电熔窑也有其自身的缺陷：(1)电熔窑的垂直熔化方式不利于玻璃液中的微气泡的排除；(2)生产高硼硅全电熔窑最大规模一般不超过35吨/天，否则窑内温度均匀性受到影响，也会产生条纹等缺陷；(3)当窑内电极布置或温度制度稍有不当时，产品的均匀性就受到较大影响，产品合格率低。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种用于硼硅酸盐玻璃的熔窑，用于解决现有技术中存在的上述问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种用于硼硅酸盐玻璃的熔窑，包括：依次设置的冷顶全电熔窑和澄清池；所述冷顶全电熔窑的底部设置有流液洞，所述流液洞的出口端与一竖直设置的上升道的下端连通，所述上升道的上端与所述澄清池的进料口连通；所述冷顶全电熔窑的上部设有供硼硅酸盐配合料加入的加料口，所述冷顶全电熔窑的内部设有多根窑部电极；所述澄清池的内部设有多根池内电极和多个火焰加热喷枪，所述澄清池上设有供烟气排出的排烟口。

优选地，所述冷顶全电熔窑的窑体底砖和窑体侧壁为平面结构，或者所述冷顶全电熔窑的窑体底砖和窑体侧壁为台阶式结构。

优选地，所有的所述窑部电极插设于所述熔窑的窑体底砖上，或者所有的所述窑部电极插设于所述熔窑的窑体侧壁上。

优选地，所有的所述池内电极插设于所述澄清池的池体底砖上，或者所有的所述池内电极插设于所述澄清池的池体侧壁上，或者所有的所述池内电极分为插设于所述澄清池的池体底砖上的底部电极和插设于所述澄清池的池体侧壁上的侧部电极。

优选地，所有的所述火焰加热喷枪设置于所述澄清池的上部，所有的所述火焰加热喷枪的喷嘴设置于所述澄清池的池体侧壁上，或者所有的所述火焰加热喷枪的喷嘴设置于所述澄清池的池体碹顶上。

优选地，所述澄清池的池体底砖上设有鼓泡装置。

进一步地，沿着所述硼硅酸盐玻璃液的流动方向，在所述澄清池的后端的池体侧壁上设有出料口，所述出料口连接供料通道。

更进一步地，所述澄清池上还设有非均质玻璃液表面溢流装置，所述非均质玻璃液表面溢流装置与所述澄清池的出料口的前端两侧的池体侧壁连接。

再进一步地，所述澄清池的出料口的取料高度低于所述澄清池中硼硅酸盐玻璃液的液面的水平高度。

更进一步地，在所述澄清池的出料口的前方的池体底砖上还设有底部卸料装置。

如上所述，本发明所述的用于硼硅酸盐玻璃的熔窑，具有以下有益效果：