[发明专利]一种半导体晶片的制作方法在审
| 申请号： | 201710830314.8 | 申请日： | 2017-09-15 |
| 公开（公告）号： | CN107658211A | 公开（公告）日： | 2018-02-02 |
| 发明（设计）人： | 贺勇;邓有财;邱树添 | 申请（专利权）人： | 厦门三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L29/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361100 福建省厦门市*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 晶片 制作方法 | ||
1.一种半导体芯片的制作工艺，包括步骤：
提供衬底；
在衬底上生长外延层，制作得外延层晶片；
对外延层晶片进行倒角；
在外延层晶片进行芯片工艺。
2.根据权利要求1所述的一种半导体芯片的制作工艺，其特征在于：所述倒角的切削量小于10μm。
3.根据权利要求1所述的一种半导体芯片的制作工艺，其特征在于：所述倒角的面幅为60-120μm。
4.根据权利要求1所述的一种半导体芯片的制作工艺，其特征在于：所述倒角，是利用倒角砂轮进行的，倒角砂轮在圆边运动线速度5-8 mm/s。
5.根据权利要求4所述的一种半导体芯片的制作工艺，其特征在于：所述倒角砂轮的工作面为梯形状或者弧状。
6.一种半导体晶片，至少包括外延层和衬底，其特征在于，所述边缘具有平滑的倒角，所述倒角的区域至少包括外延层。
7.根据权利要求6所述的一种半导体晶片，其特征在于：所述外延层的制作过程中包括半导体材料沉积的。
8.根据权利要求6所述的一种半导体晶片，其特征在于：所述倒角为圆弧面，倒角半径为0.05-0.2mm。
9.根据权利要求6所述的一种半导体晶片，其特征在于：所述晶片具有平边和圆边，平边与圆边之间具有过渡圆角。
10.根据权利要求9所述的一种半导体晶片，其特征在于：所述平边与圆边之间的过渡圆角半径为0.05-0.2mm。
11.一种半导体芯片结构，至少包括外延层，其特征在于：所述芯片边缘的外延层或/和芯片边缘的衬底具有平滑的倒角。
12.根据权利要求11所述的一种半导体芯片结构，其特征在于：所述芯片倒角为竖直面的倒角。
13.根据权利要求12所述的一种半导体芯片结构，其特征在于：所述芯片倒角为圆角，圆角半径为0.05-0.2mm。
14.一种半导体芯片的制作设备，其特征在于：所述制作设备用于对半导体芯片的外延层进行倒角，包括开口为弧状或梯形状的成型倒角砂轮。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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