[发明专利]在晶片上制造对准标记的方法以及对准标记的结构

权利要求书

1.一种在晶片上制造对准标记的方法，其特征在于，包括：

在晶片上图案化出网状的划线，其中所述划线定义出多个元件区域；

对所述晶片进行第一注入制作工艺，以在所述划线内形成多个注入标记于所述晶片中；以及

对所述晶片进行第二注入制作工艺，其中所述第二注入制作工艺的位置是依据所述多个注入标记的位置为参考位置，

其中所述多个注入标记至少包含第一几何图案与第二几何图案，其中所述第一几何图案是区别于所述第二几何图案，所述第一几何图案与所述第二几何图案在所述划线的横切方向是交替配置。

2.根据权利要求1所述的在晶片上制造对准标记的方法，其特征在于，所述多个注入标记经由被测量用以决定所述晶片的位置。

3.根据权利要求1所述的在晶片上制造对准标记的方法，其特征在于，所述第一几何图案是用于决定所述晶片的第一位置，所述第二几何图案是用于决定所述晶片的第二位置，其中得到所述晶片的位置是经由平均所述第一位置与所述第二位置。

4.根据权利要求1所述的在晶片上制造对准标记的方法，其特征在于，所述多个注入标记是相同几何形状，但是不同尺寸，以形成至少两种几何图案。

5.根据权利要求1所述的在晶片上制造对准标记的方法，其特征在于，其中所述多个注入标记的所述位置是根据由于对所述多个注入标记的注入所产生的物理特性。

6.根据权利要求1所述的在晶片上制造对准标记的方法，其特征在于，还包括对所述晶片进行第三注入制作工艺，其中所述第三注入制作工艺的位置是依据所述多个注入标记的所述位置为所述参考位置。

7.一种对准标记结构，设置在晶片上，其中所述晶片尚未形成有蚀刻标记，其特征在于，所述结构包括：

在所述晶片上设定有划线，其中所述划线具有线宽且构成网状，定义出多个元件区域；

多个注入标记，设置在所述划线内，且形成于所述晶片中；以及

第一注入区域在所述晶片中，其中第一注入区域的位置是以所述多个注入标记的位置为参考位置,

其中所述多个注入标记至少包含第一几何图案与第二几何图案，其中所述第一几何图案是区别于所述第二几何图案，所述第一几何图案与所述第二几何图案在所述划线的横切方向是交替配置。

8.根据权利要求7所述的对准标记结构，其特征在于，以所述多个注入标记用以决定所述晶片的位置。

9.根据权利要求8所述的对准标记结构，其特征在于，所述第一几何图案是用于决定所述晶片的第一位置，所述第二几何图案是用于决定所述晶片的第二位置，其中得到所述晶片的位置是经由平均所述第一位置与所述第二位置。

10.根据权利要求7所述的对准标记结构，其特征在于，所述多个注入标记是相同几何形状，但是不同尺寸，以形成至少两种几何图案。

11.根据权利要求7所述的对准标记结构，其特征在于，所述多个注入标记的所述位置是根据由于对所述多个注入标记的注入所产生的物理特性。

12.根据权利要求7所述的对准标记结构，其特征在于，还包括第二注入区域，是依据所述多个注入标记的所述位置为所述参考位置。