[发明专利]电阻式存储器元件的操作方法

权利要求书

1.一种电阻式存储器元件的操作方法，其特征在于，包括：

对所述电阻式存储器元件执行加热步骤；

对所述电阻式存储器元件执行设定及重置循环操作，以增加所述电阻式存储器元件的读取边界；以及

判断所述电阻式存储器元件增加后的所述读取边界是否通过读取边界验证，

其中所述设定及重置循环操作在所述加热步骤之后执行。

2.根据权利要求1所述的电阻式存储器元件的操作方法，其特征在于，在对所述电阻式存储器元件执行所述设定及重置循环操作的步骤之后，所述电阻式存储器元件的操作方法还包括：

设定第一电流阈值与小于第一电流阈值的第二电流阈值；

将流经所述电阻式存储器元件的电流分别与所述第一电流阈值及所述第二电流阈值进行比较；

若所述电流大于所述第一电流阈值或小于所述第二电流阈值，判断所述电阻式存储器元件通过所述读取边界验证，且结束所述设定及重置循环操作；以及

若所述电流介于所述第一电流阈值与所述第二电流阈值之间，判断所述电阻式存储器元件不通过所述读取边界验证，且重复对所述电阻式存储器元件执行所述设定及重置循环操作的步骤直到所述电阻式存储器元件通过所述读取边界验证，或者直到预设次数。

3.根据权利要求1所述的电阻式存储器元件的操作方法，其特征在于，还包括：

对所述电阻式存储器元件执行形成程序以及初始重置程序，其中所述形成程序包括所述加热步骤，并且所述设定及重置循环操作在所述形成程序以及所述初始重置程序结束之后执行。

4.根据权利要求1所述的电阻式存储器元件的操作方法，其特征在于，还包括：

安装所述电阻式存储器元件于电路板上，其中所述安装步骤包括所述加热步骤，

其中所述设定及重置循环操作用以程序化及抹除所述电阻式存储器元件。

5.一种电阻式存储器元件的操作方法，其特征在于，包括：

对所述电阻式存储器元件执行刷新操作；

依据所述电阻式存储器元件是否经过加热步骤，来决定是否对所述电阻式存储器元件执行程序化及抹除循环操作，以增加所述电阻式存储器元件的读取边界；以及

判断所述电阻式存储器元件增加后的所述读取边界是否通过读取边界验证，

其中所述程序化及抹除循环操作在所述刷新操作之后执行。

6.根据权利要求5所述的电阻式存储器元件的操作方法，其特征在于，还包括：

判断所述电阻式存储器元件是否经过所述加热步骤；

若所述电阻式存储器元件经过所述加热步骤，在所述刷新操作之后，对所述电阻式存储器元件执行所述程序化及抹除循环操作；以及

若所述电阻式存储器元件没有经过所述加热步骤，结束所述电阻式存储器元件的操作方法。

7.根据权利要求6所述的电阻式存储器元件的操作方法，其特征在于，所述电阻式存储器元件包括第一晶胞阵列以及第二晶胞阵列，所述电阻式存储器元件的操作方法还包括：

对所述第一晶胞阵列施加弱设定电压，以使所述第一晶胞阵列的多个存储器晶胞从第一电阻状态转变为第二电阻状态，其中所述弱设定电压的电压值小于正常设定电压的电压值，

其中判断所述电阻式存储器元件是否经过所述加热步骤的步骤包括：

判断所述第一晶胞阵列中的所述多个存储器晶胞从所述第二电阻状态转变为所述第一电阻状态的数量是否大于临界值；

若所述多个存储器晶胞从所述第二电阻状态转变为所述第一电阻状态的数量大于所述临界值，判断所述电阻式存储器元件经过所述加热步骤；以及

若所述多个存储器晶胞从所述第二电阻状态转变为所述第一电阻状态的数量小于或等于所述临界值，判断所述电阻式存储器元件没有经过所述加热步骤。