[发明专利]GRAPIPRANT的结晶形式

说明书

本发明专利申请是国际申请号为PCT/US2015/019043，国际申请日为2015年3月5日，进入中国国家阶段的申请号为201580002716.8的发明专利申请的分案申请。

交叉参考

本申请案根据35 U.S.C.§119(e)于2014年3月6日提出申请且标题为“Crystalline Forms of Grapiprant(Grapiprant的结晶形式)”的美国临时申请第61/949,006号和于2014年7月30日提出的标题为“Crystalline Forms of Grapiprant(Grapiprant的结晶形式)”的美国临时申请第61/996,961号的权益，这些申请案的全文以引用方式并入本文中。

技术领域

本发明一般涉及grapiprant的多形体及其制备方法。

背景技术

固体以非晶形或结晶形式存在。在结晶形式情形下，分子位于三维晶格位点中。当化合物从溶液或浆液重结晶时，其可以不同的空间晶格排列结晶，并且不同结晶形式有时称为“多形体(polymorphs)”。给定物质的不同结晶形式在以下方面可彼此不同：一或多种化学性质(例如溶解速率、溶解度)、生物性质(例如生物利用度、药物动力学)和/或物理性质(例如机械强度、压实性能、流动性、粒径、形状、熔点、水合或溶剂化度、结块趋势，与赋形剂的兼容性)。不同结晶形式之间性质的差异通常意味着一种结晶形式与其它形式相比可能更有用。例如，已知grapiprant的形式A、形式D和形式J展现彼此不同的物理性质。

由于grapiprant展现若干有利的治疗性质，因此期望化合物的经改良形式，尤其关于增强的溶解度、生物利用度、容易合成、能够容易调配和/或物理稳定性。因此，需要grapiprant的经改良结晶形式及制备不同形式的方法。

发明内容

因此，简言之，本发明的一方面涵盖grapiprant的结晶形式，其选自下组：形式X、形式X2、形式X3、形式F、形式K、形式L、形式M和形式N。该结晶形式选自下组：

i.形式X，其展现在约6.5、约10.1、约14.9、约15.3、约19.7、约20.3、约21.3、约22.7、约23.1和约27.3处具有以°2-θ表示的特征峰的X射线粉末衍射图谱；

ii.形式X，其展现在约33℃-80℃下和在约110℃-140℃下具有吸热/放热事件的差示扫描量热特征；

iii.形式X，其展现在从约24℃加热至约150℃时显示12％-13％质量损失的热重分析；

iv.形式X2，其展现在约10.2、约14.9、约16.8、约18.3、约21.8、约22.7、约23.9、约24.3、约25.9和约26.4处具有以°2-θ表示的特征峰的X射线粉末衍射图谱；

v.形式X2，其展现在约25℃-130℃下、在约130℃-150℃下和在约150℃-190℃下具有吸热/放热事件的差示扫描量热特征；

vi.形式X2，其展现在从约25℃加热至约150℃时显示14％-15％质量损失的热重分析；

vii.形式X3，其展现在约13.6、约21.0、约24.5和约25.3处具有以°2-θ表示的特征峰的X射线粉末衍射图谱；

viii.形式X3，其展现在约75℃-115℃下、在约135℃-150℃下和在约150℃-170℃下具有吸热/放热事件的差示扫描量热特征；

ix.形式X3，其展现在从约25℃加热至约135℃时显示10％-11％质量损失的热重分析；

x.形式F，其展现在约9.9、约14.8、约15.5、约18.0、约19.9、约20.4、约21.8、约23.5和约27.7处具有以°2-θ表示的特征峰的X射线粉末衍射图谱；

xi.形式F，其展现在约122℃下和在约143℃下具有吸热/放热事件的差示扫描量热特征；

xii.形式F，其展现在从约25℃加热至约135℃时显示约20.5％质量损失的热重分析；

xiii.形式K，其展现在约11.3、约15.9、约16.6、约18.2、约19.0、约21.7、约21.9、约25.7和约29.0处具有以°2-θ表示的特征峰的X射线粉末衍射图谱；

xiv.形式K，其展现在约48℃、约95℃下和在约155℃下具有吸热/放热事件的差示扫描量热特征；