[发明专利]存储器卡以及包括其的存储系统有效
申请号: | 201710832443.0 | 申请日: | 2017-09-15 |
公开(公告)号: | CN107886149B | 公开(公告)日: | 2021-12-07 |
发明(设计)人: | 李仁宰;金光洙;柳炯宇 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | G06K19/077 | 分类号: | G06K19/077;G06F13/16 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 刘灿强;田野 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 存储器 以及 包括 存储系统 | ||
提供了一种存储器卡以及包括其的存储系统。存储器卡包括第一组端子和第二组端子、至少一个控制器以及第一非易失性存储器和第二非易失性存储器。第一组端子与基底的插入侧处的边缘相邻,并包括提供第一电压的第一电源端子。第二组端子比第一组端子远地与插入侧处的边缘间隔开,并且包括提供第二电压的第二电源端子。至少一个存储器控制器连接到第一组端子和第二组端子,并且第一非易失性存储器和第二非易失性存储器独立地连接到至少一个控制器。当第一组端子和第二组端子连接到外部主机时,至少一个控制器同时访问第一非易失性存储器和第二非易失性存储器。
于2016年9月29日提交的发明名称为“存储器卡以及包括其的存储系统(MemoryCards and Storage Systems Including the Same)”的第10-2016-0125247号韩国专利申请通过引用全部包含于此。
技术领域
这里描述的一个或更多个实施例涉及存储器卡以及包括存储器卡的存储系统。
背景技术
存储器装置可以由各种半导体材料制造。示例包括硅、锗、砷化镓和磷化铟。一些存储器装置是易失性存储器装置,而另一些是非易失性存储器装置。易失性存储器装置在断电时会丢失存储的内容。易失性存储器装置的示例包括静态随机存取存储器、动态RAM和同步DRAM。非易失存储器装置在断电时保留存储的内容。非易失存储器装置的示例包括只读存储器、可编程ROM、电可编程ROM、电可擦除和可编程ROM、闪存装置、相变RAM、磁阻RAM、电阻RAM和铁电RAM。
非易失性存储器可以用作计算装置的存储器。例如,非易失性存储器可以用于形成用于计算机的固态驱动器(SSD)、用于移动装置的嵌入式存储器以及从计算机或移动装置可拆卸的可拆卸存储器卡。
发明内容
根据一个或更多个实施例,存储器卡包括:基底,包括两对边缘,每对中的边缘彼此相对布置;第一组端子,与基底的插入侧处的边缘相邻,第一组端子包括提供第一电压的第一电源端子;第二组端子,比第一组端子远地与插入侧处的边缘间隔开,第二组端子包括提供第二电压的第二电源端子;至少一个存储器控制器,连接到第一组端子和第二组端子;至少一个第一非易失性存储器,连接到至少一个存储器控制器;至少一个第二非易失性存储器,其独立于第一非易失性存储器连接到至少一个存储器控制器,其中,当第一组端子和第二组端子连接到外部主机时,至少一个存储器控制器将同时访问第一非易失性存储器和第二非易失性存储器。
根据一个或更多个其它实施例,存储系统包括:主机;插口,电连接到主机;存储器卡,将被插入到插口中,并包括:基底,具有两对边缘,每对中的边缘彼此相对地布置;第一组端子,与基底的插入侧处的边缘相邻,第一组端子包括提供第一电压的第一电源端子;第二组端子,比第一组端子远地与插入侧处的边缘间隔开,第二组端子包括提供第二电压的第二电源端子;至少一个存储器控制器,连接到第一组端子和第二组端子;至少一个第一非易失性存储器,连接到至少一个存储器控制器;至少一个第二非易失性存储器,与第一非易失性存储器独立地连接到至少一个存储器控制器,其中,当第一组端子和第二组端子连接到主机时,至少一个存储器控制器将同时访问第一非易失性存储器和第二非易失性存储器。
根据一个或更多个其它实施例,存储器卡包括:多个连接件;至少一个控制器,当存储器卡上的第一端子和第二端子结合到主机时,至少一个控制器同时访问第一非易失性存储器和第二非易失性存储器,其中,第一非易失性存储器和第二非易失性存储器通过连接件独立地结合到所述至少一个控制器。
附图说明
通过参照附图详细地描述示例性实施例,特征对于本领域技术人员而言将变得明显,在附图中:
图1示出了存储系统的实施例;
图2示出了存储器卡的实施例;
图3示出了图2中的存储器卡的另一视图;
图4示出了包括存储器控制器的实施例;
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