[发明专利]阵列基板的制造方法、阵列基板及显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种阵列基板的制造方法、阵列基板及显示装置。

背景技术

为了在不增加电子设备的尺寸的前提下，增大显示面板的尺寸，越来越多的生产厂家致力于研究无边框的显示面板。

目前大部分无边框的显示面板均是将传统的液晶显示面板(英文：Liquid Crystal Display；简称：LCD)中的阵列基板和彩膜基板位置进行互换制成的，此时，彩膜基板靠近显示面板的入光侧，阵列基板靠近显示面板的出光侧，由于阵列基板的面积大于彩膜基板的面积，因此显示面板中的印制电路板与阵列基板连接时，印制电路板无需弯曲，从而实现显示面板的四面无边框。

将传统的LCD中的阵列基板与彩膜基板互换后制成的显示面板存在如下问题：阵列基板中的栅极图形和源漏极图形可能会反射外界的光线，进而导致显示面板的显示效果较差。为了解决该问题，现有技术提供了一种阵列基板如下：采用磁控溅射工艺在栅极图形和源漏极图形的下方形成抗反射薄膜，该抗反射薄膜的材料为金属氧化物或金属氮氧化物，进而可以减少栅极图形和源漏极图形对外界光线的反光现象(也称抗反射处理)。

但是，实际工艺过程中，抗反射薄膜的厚度和组分长时间内很难连续稳定控制，并且进行抗反射处理时所采用的设备需要经常进行维护，因此制造阵列基板的工艺较为复杂，导致制造阵列基板的成本较高。

发明内容

本申请提供了一种阵列基板的制造方法、阵列基板及显示装置，可以解决现有的制造阵列基板的成本较高问题。所述技术方案如下：

第一方面，提供了一种阵列基板的制造方法，所述方法包括：

在衬底基板上依次形成遮挡层和薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：栅极图形和源漏极图形；

其中，所述栅极图形在所述衬底基板上的正投影和所述源漏极图形在所述衬底基板上的正投影均被所述遮挡层在所述衬底基板上的正投影覆盖，所述遮挡层的材料为经过预处理的光刻胶。

可选的，所述在衬底基板上依次形成遮挡层和薄膜晶体管，包括：

在所述衬底基板上形成公共电极薄膜；

在所述公共电极薄膜上形成光刻胶薄膜；

对带有所述光刻胶薄膜的所述公共电极薄膜进行一次构图工艺处理，以形成带有第一光刻胶图案的公共电极；

对所述第一光刻胶图案进行预处理，以形成所述遮挡层。

可选的，所述对所述第一光刻胶图案进行预处理，以形成所述遮挡层，包括：

对所述第一光刻胶图案进行碳化处理，以形成所述遮挡层；

或者，对所述第一光刻胶图案进行干刻处理，以形成所述遮挡层；

或者，对所述第一光刻胶图案进行退火处理，以形成所述遮挡层。

可选的，所述对所述第一光刻胶图案进行碳化处理，包括：

在无氧环境下，对所述第一光刻胶图案进行加热，以将所述第一光刻胶图案处理为所述遮挡层。

可选的，所述对所述第一光刻胶图案进行干刻处理，包括：

在无氧环境下，通过离子轰击所述第一光刻胶图案，以将所述第一光刻胶图案处理为所述遮挡层。

可选的，所述对所述第一光刻胶图案进行退火处理，包括：

在真空环境下，将所述第一光刻胶图案加热到预设温度，在持续保温预设时长后，将所述第一光刻胶图案冷却到室温，以将所述第一光刻胶图案处理为所述遮挡层。

可选的，所述对带有所述光刻胶薄膜的所述公共电极薄膜进行一次构图工艺处理，以形成带有第一光刻胶图案的公共电极，包括：

采用灰度掩膜版对所述光刻胶薄膜进行曝光处理，并对曝光处理后的所述光刻胶薄膜进行显影处理，以形成第二光刻胶图案，所述第二光刻胶图案包括：第一光刻胶区、第二光刻胶区和光刻胶完全去除区，且所述第一光刻胶区中的光刻胶厚度大于所述第二光刻胶区中的光刻胶厚度；

去除与所述光刻胶完全去除区对应的公共电极薄膜，以形成带有所述第二光刻胶图案的所述公共电极；

去除所述第二光刻胶区中的光刻胶，并减薄所述第一光刻胶区中的光刻胶，以形成带有所述第一光刻胶图案的所述公共电极。

可选的，所述去除与所述光刻胶完全去除区对应的公共电极薄膜，包括：

对带有所述第二光刻胶图案的公共电极薄膜进行刻蚀处理，以去除与所述光刻胶完全去除区对应的公共电极薄膜。

可选的，所述去除所述第二光刻胶区中的光刻胶，并减薄所述第一光刻胶区中的光刻胶，包括：