[发明专利]采用减反膜降低垂直结构深紫外LED激光剥离能量阈值的方法

权利要求书

1.采用减反膜降低垂直结构深紫外LED激光剥离能量阈值的方法，其特征在于，在垂直结构深紫外LED器件未剥离的蓝宝石衬底表面沉积减反膜，用于降低垂直结构深紫外LED器件的激光剥离能量阈值；

其中，减反膜是单层膜，或者是多层膜，多层膜是折射率渐变式多层薄膜，高低折射率交替的非周期性多层膜或者高低折射率交替的周期性多层膜。

2.根据权利要求1所述的采用减反膜降低垂直结构深紫外LED激光剥离能量阈值的方法，其特征在于，具体包括以下步骤：

1)采用金属有机化学气相沉积的方法，在蓝宝石衬底上依次生长低温AlN缓冲层、不掺杂AlGaN层、N型掺Si的AlGaN层、多量子阱AlGaN/AlGaN层、P型掺Mg的AlGaN层和P型掺Mg的GaN层，形成AlGaN深紫外外延片；

2)将所述AlGaN深紫外外延片通过光刻胶掩膜干法刻蚀形成台面；

3)在AlGaN深紫外外延片台面的P型上表面依次蒸镀欧姆接触层、反光层和键合层；

4)通过金属键合工艺将上述AlGaN深紫外外延片翻转粘合到导电、导热衬底上；

5)在蓝宝石衬底表面沉积减反膜；

6)准分子激光从蓝宝石衬底表面辐照上述AlGaN深紫外外延片，进而剥离掉蓝宝石衬底。

3.根据权利要求2所述的采用减反膜降低垂直结构深紫外LED激光剥离能量阈值的方法，其特征在于，步骤1)中，多量子阱AlGaN/AlGaN层的发光波长为200nm-280nm。

4.根据权利要求2所述的采用减反膜降低垂直结构深紫外LED激光剥离能量阈值的方法，其特征在于，步骤2)中，AlGaN深紫外外延片台面的刻蚀深度为6μm-30μm。

5.根据权利要求2所述的采用减反膜降低垂直结构深紫外LED激光剥离能量阈值的方法，其特征在于，步骤5)中，沉积薄膜的材料为MgF₂、LaF₃和SiO₂中的一种或者多种的组合。

6.根据权利要求2所述的采用减反膜降低垂直结构深紫外LED激光剥离能量阈值的方法，其特征在于，步骤5)中，沉积薄膜是单层膜时，所使用介质材料对准分子激光的吸收损耗不高于1％，其折射率介于空气与蓝宝石之间，取1～1.83，沉积薄膜的厚度为d＝(m+1)λ/4n，其中，n为所沉积材料的折射率，λ为剥离时所使用激光的波长，m为4的整数倍。

7.根据权利要求2所述的采用减反膜降低垂直结构深紫外LED激光剥离能量阈值的方法，其特征在于，步骤5)中，所使用介质材料对准分子激光的吸收损耗不高于1％。

8.根据权利要求2所述的采用减反膜降低垂直结构深紫外LED激光剥离能量阈值的方法，其特征在于，步骤6)中，所使用准分子激光波长为193nm。