[发明专利]低磨损碎片聚甲醛组合物及其所制备的硬盘滑轨

权利要求书

1.一种聚甲醛共聚物树脂，包含有：

85～98重量百分比的聚甲醛共聚物，该聚甲醛共聚物中包含1.0～3.3重量百分比的1,3-二氧戊环共聚单体；

0.5～8.0重量百分比的耐磨剂，其平均粒径不大于100nm，所述耐磨剂选自无机耐磨剂及有机耐磨剂中的至少一种及其组合；

0.1～3.0重量百分比的成核剂；以及

0.5～5.0重量百分比的抗静电剂。

2.如权利要求1所述的聚甲醛共聚物树脂，其中所述无机耐磨剂包含平均粒径不大于100nm的纳米级氧化锌颗粒。

3.如权利要求1所述的聚甲醛共聚物树脂，其中所述有机耐磨剂包括乙氧基化胺(ethoxylated amine)、乙氧基化胺的衍生物(a derivative of ethoxylated amine)、单月桂酸三乙醇胺(triethanolaminemonolaurate)、单月桂酸三乙醇胺的衍生物(a derivative of triethanolaminemonolaurate)、烷烃基链烷烃磺酸盐(paraffine-based aklanesulfonate)、脂肪酸酯(fatty acid ester)或脂肪酸酯的衍生物(a derivative of fatty acid ester)。

4.如权利要求1所述的聚甲醛共聚物树脂，其中所述有机耐磨剂包括分子量低于1,000的聚乙二醇(polyethylene glycol)。

5.如权利要求1所述的聚甲醛共聚物树脂，其中所述抗静电剂包括单硬脂酸甘油酯(glycerol monostearate)。

6.一种以权利要求1所述的聚甲醛共聚物树脂模塑成型所制出的硬盘滑轨。

7.如权利要求6所述的以聚甲醛共聚物树脂模塑成型所制出的硬盘滑轨，其中所述硬盘滑轨具有以下至少之一的特性：(1)小于1μm的最大磨损深度和小于10μm²的磨损面积的微磨损损失；及(2)在2.5g负载下，以8英寸/秒速度、往复摩擦2,000,000次所测试而得的0级磨损碎片附着水平。

8.如权利要求7所述的以聚甲醛共聚物树脂模塑成型所制出的硬盘滑轨，其中所述硬盘滑轨是在高湿度及高温下进行测试。

9.如权利要求8所述的以聚甲醛共聚物树脂模塑成型所制出的硬盘滑轨，其中所述高湿度包含相对湿度85％±5％，而所述高温为55℃±2℃。

10.如权利要求7所述的以聚甲醛共聚物树脂模塑成型所制出的硬盘滑轨，其中所述硬盘滑轨是在低湿度及高温下进行测试。

11.如权利要求10所述的以聚甲醛共聚物树脂模塑成型所制出的硬盘滑轨，其中所述低湿度包含相对湿度15％±5％，而所述高温为55℃±2℃。

12.如权利要求7所述的以聚甲醛共聚物树脂模塑成型所制出的硬盘滑轨，其中所述硬盘滑轨是在低湿度及低温下进行测试。

13.如权利要求12所述的以聚甲醛共聚物树脂模塑成型所制出的硬盘滑轨，其中所述低湿度包含相对湿度15％±5％，而所述低温为5℃±2℃。

14.如权利要求7所述的以聚甲醛共聚物树脂模塑成型所制出的硬盘滑轨，其中所述硬盘滑轨是在室内湿度及室温下进行测试。

15.如权利要求14所述的以聚甲醛共聚物树脂模塑成型所制出的硬盘滑轨，其中所述室内湿度包含相对湿度50％±10％，而所述室温为25℃±10℃。

16.如权利要求6所述的以聚甲醛共聚物树脂模塑成型所制出的硬盘滑轨，其中所述硬盘选自垂直记录+二维磁记录(PMR+TDMR)硬盘、迭瓦式磁记录(SMR)硬盘、HAMR⁺(HAMR⁺＝HAMR(热辅助磁记录)+TDMR+SMR)硬盘、BPMR⁺(BPMR⁺＝BPMR(位元图案介质记录)+SMR+TDMR)，及氦填充硬盘。