[发明专利]提高锑化物基Ⅱ类超晶格材料质量的方法

权利要求书

1.提高锑化物基Ⅱ类超晶格材料质量的方法，其特征在于,包括以下步骤：

步骤一：在高真空腔室中，执行材料的生长；

步骤二：对于需要提高材料质量的部分，在生长过程进行到该部分时，开启原子氢源的束流覆盖材料表面，原子氢源的激发功率为50-200W，期间的真空度为1×10^-8-1×10^-6Torr；

步骤三：高质量材料的部分生长完毕后，关闭原子氢源，之后可继续执行后续的材料生长工艺。

2.根据权利要求1所述的提高锑化物基Ⅱ类超晶格材料质量的方法，其特征在于：所述步骤一中的材料为锑化物基Ⅱ类超晶格相关的Ⅲ-Ⅴ族锑化物及砷化物材料。

3.根据权利要求1所述的提高锑化物基Ⅱ类超晶格材料质量的方法，其特征在于：所述步骤一中的材料生长方法为分子束外延。

4.根据权利要求1所述的提高锑化物基Ⅱ类超晶格材料质量的方法，其特征在于：所述步骤一中的高真空腔室，其本底真空度高于1×10^-9Torr。