[发明专利]薄膜晶体管、其制造方法及电子装置有效
| 申请号： | 201710835326.X | 申请日： | 2017-09-15 |
| 公开（公告）号： | CN109509793B | 公开（公告）日： | 2020-12-01 |
| 发明（设计）人： | 王骏;黄中浩;赵永亮;林承武 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;重庆京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/41;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 制造 方法 电子 装置 | ||
1.一种薄膜晶体管，包括基板、设置于所述基板上的栅极、栅极绝缘层、有源层以及源极和漏极，所述有源层包括位于所述源极和所述漏极之间的沟道区，所述沟道区包括沿沟道长度方向的边缘区域以及边缘区域以外的主体区域，
其中，所述薄膜晶体管还包括位于所述栅极和所述有源层之间的辅助层，所述辅助层与所述沟道区的边缘区域在所述基板上的投影至少部分重叠，所述辅助层用于提高所述沟道区边缘区域的导通电压；
所述辅助层的材料为导电材料或半导体材料。
2.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述辅助层包括间隔设置的两个辅助结构，分别对应所述沟道区沿长度方向相对的两个边缘区域设置。
3.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述栅极、所述辅助层与所述有源层三者在所述基板上的投影至少部分重叠。
4.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述辅助层材料为导电材料，且位于所述栅极与所述栅极绝缘层之间。
5.如权利要求4所述的薄膜晶体管，其中，所述辅助层材料的功函数与所述有源层材料的功函数的差异大于所述栅极材料的功函数与所述有源层材料的功函数的差异。
6.如权利要求4所述的薄膜晶体管，其中，所述辅助层材料的功函数大于所述栅极材料的功函数。
7.如权利要求6所述的薄膜晶体管，其中，所述栅极材料为铜、钼、钛、铝、导电硅或导电金属氧化物，所述辅助层材料为铂、金或钯、硅或导电金属氧化物。
8.如权利要求4所述的薄膜晶体管，其中，所述辅助层的厚度小于所述栅极厚度的十分之一。
9.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述辅助层材料为半导体，且位于所述有源层与所述栅极绝缘层之间。
10.如权利要求9所述的薄膜晶体管，其中，所述栅极材料的功函数与所述辅助层材料的功函数的差异大于所述栅极材料的功函数与所述有源层材料的功函数的差异。
11.如权利要求9所述的薄膜晶体管，其中，所述辅助层材料的功函数小于所述有源层材料的功函数。
12.一种电子装置，包括如权利要求1-11任意一项所述的薄膜晶体管。
13.如权利要求12所述的电子装置，其中，所述电子装置为液晶显示装置、有机发光二极管显示装置或电子纸显示装置。
14.一种薄膜晶体管的制造方法，包括：
在基板上形成栅极、辅助层、栅极绝缘层、有源层以及源极和漏极；
其中，所述辅助层形成在所述形成栅极和所述形成有源层之间，所述有源层包括位于所述源极和所述漏极之间的沟道区，所述沟道区包括沿沟道长度方向的边缘区域以及边缘区域以外的主体区域；
所述辅助层与所述沟道区的边缘区域在所述基板上的投影至少部分重叠，所述辅助层用于提高所述沟道区边缘区域的导通电压；
所述辅助层的材料为导电材料或半导体材料。
15.如权利要求14所述的薄膜晶体管的制造方法，其中，所述辅助层形成在所述形成栅极和所述形成栅极绝缘层之间，所述辅助层材料为导电材料。
16.如权利要求15所述的薄膜晶体管的制造方法，其中，所述辅助层材料的功函数与所述有源层材料的功函数的差异大于所述栅极材料的功函数与所述有源层材料的功函数的差异。
17.如权利要求16所述的薄膜晶体管的制造方法，其中，所述辅助层材料的功函数大于所述栅极材料的功函数。
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