[发明专利]基板处理方法以及基板处理装置

权利要求书

1.一种基板处理方法，其中，

具有：

旋转工序，使基板以及具有与所述基板的上表面相对的下表面和从所述下表面的内周部朝向中央向斜上方延伸的锥面的遮断部围绕与所述上表面正交的旋转轴旋转，

第一供给工序，包括朝向旋转的所述基板的所述上表面供给处理液的一个以上的第一处理，

第二供给工序，包括从旋转的所述遮断部的中央朝向所述锥面以及所述下表面沿水平方向供给冲洗液的一个以上的第二处理；

存在执行所述第一供给工序的第一期间和执行所述第二供给工序的第二期间重叠的重叠期间。

2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，

所述一个以上的第一处理包括朝向旋转的所述基板的所述上表面供给冲洗液的冲洗处理，

所述重叠期间是执行所述冲洗处理的期间和所述第二期间重叠的期间。

3.根据权利要求2所述的基板处理方法，其中，

所述一个以上的第一处理包括多个所述冲洗处理，

所述重叠期间是执行所述多个冲洗处理中的至少最后的冲洗处理的期间和所述第二期间重叠的期间。

4.根据的权利要求1所述的基板处理方法，其中，

在时间上相互重叠的所述第一处理和所述第二处理中，所述第二处理在所述第一处理的处理途中结束。

5.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，

在时间上相互重叠的所述第一处理和所述第二处理中，所述第一处理比所述第二处理先开始。

6.根据权利要求5所述的基板处理方法，其中，

在利用先开始的所述第一处理使所述基板的所述上表面被所述处理液覆盖的期间中，执行所述第二处理。

7.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，

在时间上相互重叠的所述第一处理和所述第二处理中，所述第一处理和所述第二处理同时开始。

8.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，

所述旋转工序具有使所述基板和所述遮断部比所述第一供给工序和所述第二供给工序时更快地旋转的处理，作为在所述第一供给工序和所述第二供给工序之后执行的处理。

9.根据权利要求1～8中任一项所述的基板处理方法，其中，

还具有气体供给工序，向所述基板的所述上表面和所述遮断部的所述下表面之间的空间供给非活性气体。

10.根据权利要求9所述的基板处理方法，其中，

在所述气体供给工序中，至少在所述第二期间之后且在所述基板的所述上表面被所述处理液覆盖的期间中，向所述空间供给所述非活性气体。

11.一种基板处理装置，其中，

具有：

基板保持部，用于将基板保持为水平，

遮断部，包括与所述基板的上表面相对的下表面和从所述下表面的内周部朝向中央向斜上方延伸的锥面，

旋转部，使所述基板和所述遮断部围绕通过所述基板的中心且沿铅垂方向延伸的旋转轴旋转，

第一供给部，通过在俯视时设置于所述遮断部的中央的开口，向旋转的所述基板的所述上表面供给处理液，

第二供给部，通过所述遮断部的所述开口，从旋转的所述遮断部的中央朝向所述锥面以及所述下表面沿水平方向供给冲洗液；

存在所述第一供给部供给所述处理液的第一期间和所述第二供给部供给所述冲洗液的第二期间重叠的重叠期间。

12.根据权利要求11所述的基板处理装置，其中，

所述遮断部还包括闭塞部，该闭塞部堵塞所述基板的所述上表面与所述遮断部的所述下表面之间的空间的侧方部分。

13.根据权利要求11或12所述的基板处理装置，其中，

还具有气体供给部，该气体供给部通过所述遮断部的所述开口，向所述基板的所述上表面和所述遮断部的所述下表面之间的空间供给非活性气体。