[发明专利]一种柔性基SmCo永磁薄膜的制备方法

权利要求书

1.一种柔性基SmCo永磁薄膜的制备方法，包括以下步骤：

步骤1：选取Si基片作为基底，将Si基片在丙酮中超声清洗，氮气吹干；

步骤2：采用磁控溅射或射频溅射法在步骤1清洗干净的Si基片上沉积厚度为1μm以上的SmCo永磁薄膜；

步骤3：将步骤2得到的带SmCo永磁薄膜的Si基片置于退火炉内，以5～15℃/min的升温速率由室温升至600～900℃，在600～900℃温度下保温20min～60min，待退火炉自然冷却至室温后，取出退火后的带SmCo永磁薄膜的Si基片；

步骤4：在步骤3得到的退火后的带SmCo永磁薄膜的Si基片上均匀滴加液态柔性衬底材料，滴加量为0.05～1mL/cm²，然后放入烧杯中进行超声处理，超声频率为20KHz～50KHz，超声时间为10s～40s；

步骤5：将步骤4超声处理后的Si基片置于烘箱中加热，使柔性衬底材料固化；

步骤6：将固化后的柔性衬底从Si基片上剥离，即可实现SmCo永磁薄膜从Si基片上转移至柔性衬底上的过程，得到所述柔性基SmCo永磁薄膜。

2.根据权利要求1所述的柔性基SmCo永磁薄膜的制备方法，其特征在于，步骤4所述柔性衬底为熔点低于200℃的柔性材料，具体为PMMA、PDMS或PVC。

3.根据权利要求1所述的柔性基SmCo永磁薄膜的制备方法，其特征在于，步骤1所述超声频率为20KHz-～50KHz，超声清洗的时间为30～60min。