[发明专利]显示面板及其制造方法、显示装置在审
申请号: | 201710840388.X | 申请日: | 2017-09-15 |
公开(公告)号: | CN109509768A | 公开(公告)日: | 2019-03-22 |
发明(设计)人: | 黄炜赟;承天一 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 彭久云 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 显示面板 电源电压信号 衬底基板 金属层 驱动电路层 显示装置 像素单元 减小 传输电阻 图案化 压降 制造 传输 | ||
1.一种显示面板,包括:
衬底基板;
设置在所述衬底基板上的像素单元,所述像素单元包括驱动电路层;
位于所述驱动电路层和所述衬底基板之间的图案化的金属层,所述金属层包括至少用于连接所述显示面板电源电压信号的第一部分。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其中,所述驱动电路层包括为所述像素单元提供电源电压信号的电源线,所述第一部分与所述电源线彼此电连接。
3.根据权利要求2所述的显示面板,其中,所述电源线包括源漏导电层部分。
4.根据权利要求1所述的显示面板,其中,所述驱动电路层包括电容和薄膜晶体管;其中,所述电容包括第一极和第二极,所述金属层还包括与所述电容相邻的第一极至少部分正对的第二部分。
5.根据权利要求4所述的显示面板,其中,所述第二极与所述金属层的第二部分电连接。
6.根据权利要求4所述的显示面板,其中,所述金属层还包括至少与所述薄膜晶体管的沟道区在所述衬底基板上的正投影正对的第三部分。
7.根据权利要求1-6任一所述的显示面板,其中,所述显示面板包括显示区和周边区域,所述金属层的第一部分位于所述显示区内,且所述金属层还包括位于所述周边区域中的第四部分。
8.根据权利要求1-6任一所述的显示面板,其中,所述显示面板还包括位于所述衬底基板上及所述驱动电路层之下的阻挡层及缓冲层;所述金属层设置于所述阻挡层及所述缓冲层之间。
9.一种显示面板的制造方法,包括:
在衬底基板上形成图案化的金属层;
在所述金属层上形成像素单元,所述像素单元包括驱动电路层;
其中,所述金属层包括至少用于连接所述显示面板电源电压信号的第一部分。
10.根据权利要求9所述的显示面板的制造方法,其中,所述驱动电路层包括为所述像素单元提供电源电压信号的电源线,所述第一部分形成为与所述电源线彼此电连接。
11.根据权利要求10所述的显示面板的制造方法,其中,在所述驱动电路层中形成电容和薄膜晶体管;
所述电容包括第一极和第二极,所述金属层还包括与所述电容相邻的第一极至少部分正对的第二部分。
12.根据权利要求11所述的显示面板的制造方法,其中,所述第二极形成为与所述金属层的第二部分电连接。
13.根据权利要求11所述的显示面板的制造方法,其中,所述金属层还包括至少与所述薄膜晶体管的沟道区在所述衬底基板上的正投影正对的第三部分。
14.根据权利要求9-13任一所述的显示面板的制造方法,其中,所述显示面板包括显示区和周边区域,所述金属层的第一部分形成于所述显示区内,且所述金属层还包括形成于所述周边区域中的第四部分。
15.根据权利要求9-13任一所述的显示面板的制造方法,还包括在衬底基板上及所述驱动电路层之下形成阻挡层及缓冲层;其中,所述金属层形成于所述阻挡层及所述缓冲层之间。
16.根据权利要求14所述的显示面板的制造方法,其中,在所述第一部分上的至少所述驱动电路层中形成第一过孔使得所述第一部分能够通过第一过孔与所述电源线连接。
17.根据权利要求16所述的显示面板的制造方法,其中,在所述第四部分上的至少所述驱动电路层中形成第二过孔使得所述第四部分能够通过第二过孔与至少所述电源线连接。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710840388.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种显示面板及显示装置
- 下一篇:有机发光显示装置及其制造方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的