[发明专利]低功耗单平衡谐波混频器

权利要求书

1.低功耗单平衡谐波混频器，其特征在于，所述混频器包括：

跨导级、开关级、负载级、输出缓冲级；其中，跨导级与开关级连接，开关级与负载级和输出缓冲级均连接；跨导级、开关级中的NMOS管均工作在亚阈值区。

2.根据权利要求1所述的低功耗单平衡谐波混频器，其特征在于，跨导级包括：NMOS管M1、电感L1、电容C1、电容C2；开关级包括：NMOS管M2和M3、电感L2和L3、电容C3和C4；缓冲级包括：电容C5和C6、电阻R2、NMOS管M4、电阻R3；电容C1的正极与电容C2的正极均与射频信号RF的输入端连接，电容C1的负极接地，电容C2的负极与NMOS管M1的栅极和电感L1的一端连接，电感L1的另一端与偏置电压Vrf的输入端连接，NMOS管M1的源极接地，NMOS管M1的漏极与NMOS管M2的源极和NMOS管M3的源极均连接；电容C4和C3的正极分别与本振差分信号的一路LO+输入端和本振差分信号的另一路LO-输入端连接，电容C4的负极和C3的负极分别与NMOS管M2的栅极和NMOS管M3的栅极连接，偏置电压Vlo的输入端与电感L2的一端和电感L3的一端均连接，电感L2的另一端与NMOS管M2的栅极连接，电感L3的另一端与NMOS管M3的栅极连接，NMOS管M2的漏极、NMOS管M3的漏极、电容C5的正极均与负载级的一端连接，负载级的另一端与电源VDD连接；电容C5的负极与电阻R2的一端和NMOS管M4的栅极均连接，NMOS管M4漏级和电阻R2的另一端均与电源VDD连接，NMOS管M4的源极与电阻R3的一端和电容C6的正极相连接，电阻R3的另一端接地，电容C6的负极接信号输出端。

3.根据权利要求2所述的低功耗单平衡谐波混频器，其特征在于，NMOS管M1、M2、M3栅极均采用电感接偏置电压。

4.根据权利要求2所述的低功耗单平衡谐波混频器，其特征在于，开关级电路为差分电路，开关级电路中M2和M3相同、L2和L3相同、C3和C4相同，差分信号LO+和LO-的电压幅度相同，相位相反。

5.根据权利要求2所述的低功耗单平衡谐波混频器，其特征在于，负载级为电阻R1，电阻R1阻值范围为2000-2600欧姆。

6.根据权利要求2所述的低功耗单平衡谐波混频器，其特征在于，信号输出端采用源级跟随器作为缓冲级。

7.根据权利要求2所述的低功耗单平衡谐波混频器，其特征在于，混频器在加工芯片的时将电容C6去除，混频器在测试的时将电容C6外加。