[发明专利]光晶体管结构的柔性紫外探测器有效
申请号: | 201710841003.1 | 申请日: | 2017-09-18 |
公开(公告)号: | CN107706262B | 公开(公告)日: | 2019-09-10 |
发明(设计)人: | 李青;雷威;张镇波;孙义;张旭 | 申请(专利权)人: | 东南大学 |
主分类号: | H01L31/101 | 分类号: | H01L31/101;H01L31/112;H01L31/18 |
代理公司: | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人: | 柏尚春 |
地址: | 210096 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶体管 结构 柔性 紫外 探测器 | ||
1.一种无机钙钛矿光晶体管结构的紫外探测器,其特征在于,基底(1)为玻璃基底,在基底(1)上制备CsPbX3薄膜(2)作为有源层,在CsPbX3薄膜(2)表面制备同物质的CsPbX3量子点(5)掺杂的PMMA有机层(4)作为栅绝缘层,以此为紫外光感应窗口;薄膜晶体管的源极(3.1)、漏Au电极(3.2)分别位于CsPbX3薄膜(2)上的两边,FTO栅极(6)位于CsPbX3薄膜(2)的上的中间,在薄膜晶体管的源极(3.1)、漏Au电极(3.2)和FTO栅极(6)调制下,获得光生载流子分离、转换的电信号读取、放大的集成功能,以实现高响应度的紫外信号探测。
2.一种无机钙钛矿光晶体管结构的紫外探测器,其特征在于,基底(1)为玻璃基底,在基底(1)上制备FTO导电薄膜层作为栅极(6),在栅极(6)上制备CsPbX3量子点(5)掺杂的PMMA有机层(4)作为栅绝缘层,在栅绝缘层上旋涂同质的CsPbX3薄膜(2)为有源层,源极(3.1)、漏Au电极(3.2)分别位于CsPbX3薄膜(2)的两边,在薄膜晶体管的源极(3.1)、漏Au电极(3.2)和FTO栅极(6)调制下,获得光生载流子分离、转换的电信号读取、放大的集成功能,以实现高响应度的紫外信号探测。
3.根据权利要求1或2所述的无机钙钛矿光晶体管结构的紫外探测器,其特征在于,所述的基底(1)为柔性PET衬底。
4.根据权利要求1、2或3所述的无机钙钛矿光晶体管结构的紫外探测器,其特征在于所述的栅绝缘层中掺杂的CsPbX3量子点与有源层的CsPbX3薄膜形成同质结构,降低了栅极与有源层间的势垒,利于光生载流子对有源层的注入,在源、漏电极作用下,可获取放大的光电流,提高紫外光探测性能。
5.根据权利要求4所述的无机钙钛矿光晶体管结构的紫外探测器,其特征在于所述的栅绝缘层通过将CsPbX3和PMMA充分溶解于甲苯溶剂中,采用溶液旋涂法在相应材料表面进行成膜,并进行退火处理得到。
6.根据权利要求3、4所述的光晶体管结构的柔性紫外探测器,其特征在于所述的CsPbX3和PMMA充分溶解于甲苯溶剂中的比例为:CsPbX3浓度1mg/ml至5mg/ml,PMMA浓度为2wt%至10wt%。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的