[发明专利]一种半导体薄膜材料

权利要求书

1.一种半导体薄膜材料，其特征在于，其制备方法包括：

采用磁控溅射法在衬底的表面交替沉积CuCrO₂薄膜和CuO薄膜，得到所述半导体薄膜材料；

每在所述衬底的表面交替沉积一层CuCrO₂薄膜和一层CuO薄膜为一周期；

所述交替沉积的周期为2周期、3周期或4周期。

2.根据权利要求1所述的半导体薄膜材料，其特征在于，所述磁控溅射法设置的参数包括：

溅射气体为氩气和氧气，所述氩气和氧气的纯度高于99.99％；所述氩气的流量为20～50sccm，所述氧气的流量为10～20sccm；

真空溅射室的真空度为(5～8)×10^-5Pa；

工作气压为1～5Pa；

溅射功率为40～120W；

所述衬底温度为25～500℃；

沉积时间为6～90min。

3.根据权利要求2所述的半导体薄膜材料，其特征在于，在沉积所述CuCrO₂薄膜时，所述磁控溅射法设置的参数包括：

所述氩气的流量为20～50sccm，所述氧气的流量为10～20sccm；

溅射功率为80～120W；

沉积时间为30～90min。

4.根据权利要求2所述的半导体薄膜材料，其特征在于，在沉积所述CuO薄膜时，所述磁控溅射法设置的参数包括：

所述氩气的流量为20～30sccm，所述氧气的流量为10～20sccm；

溅射功率为40～70W；

沉积时间为6～25min。

5.根据权利要求1所述的半导体薄膜材料，其特征在于，所述衬底为导电玻璃。

6.根据权利要求1所述的半导体薄膜材料，其特征在于，所述衬底为钼片和石英片。

7.根据权利要求1所述的半导体薄膜材料，其特征在于，在沉积薄膜之前还包括对靶材进行预溅射3～10min；

所述靶材为CuCrO₂靶和Cu靶。

8.根据权利要求1所述的半导体薄膜材料，其特征在于，所述CuCrO₂薄膜的厚度为20～120nm；

所述CuO薄膜的厚度为20～80nm。

9.一种光催化降解水的方法，其特征在于，将权利要求1至8任意一项所述的半导体薄膜材料作为光催化剂，在可见光照射下对水进行降解。