[发明专利]一种500KV以下交联聚乙烯绝缘电缆中间接头制作及修复新工艺在审

专利信息
申请号: 201710845076.8 申请日: 2017-09-19
公开(公告)号: CN107706837A 公开(公告)日: 2018-02-16
发明(设计)人: 张明泽;张向龙;赵建网;谷雨;黄良俊;蔡慧光;林振兴;王凡;张荣森;蔡森劼;周建城 申请(专利权)人: 浙江昌泰电力电缆有限公司
主分类号: H02G1/14 分类号: H02G1/14
代理公司: 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙)31218 代理人: 翟羽
地址: 325000 浙江省温*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 500 kv 以下 交联 聚乙烯 绝缘 电缆 中间 接头 制作 修复 新工艺
【说明书】:

技术领域

发明涉及电缆修复技术领域,具体为一种500KV以下交联聚乙烯绝缘电缆中间接头制作及修复新工艺。

背景技术

目前,随着我国近年来的大规模城网改造,以交联聚乙烯中压电缆绝缘为代表的聚合物绝缘电力电缆在我国被广泛应用。在施工中中间接头采用原始方法用铜接管对接,外面包裹绝缘胶带和阻水胶带就算接头完成,这种没有恢复电缆的原始结构,电缆的每种结构在电缆中都有一定的作用, 电缆导体由多根导线绞合而成,它与绝缘层之间易形成气隙,导体表面不光滑,会造成电场集中。在导体表面加一层半导电材料的屏蔽层,它与被屏蔽的导体等电位并与绝缘层良好接触,从而避免在导体与绝缘层之间发生局部放电,这一层屏蔽为内屏蔽层;同样在绝缘表面和护套接触处也可能存在间隙,是引起局部放电的因素,故在绝缘层表面加一层半导电材料的屏蔽层,它与被屏蔽的绝缘层有良好接触,与金属护套等电位,从而避免在绝缘层与护套之间发生局部放电,这一层屏蔽为外屏蔽层;没有金属护套的挤包绝缘电缆,除半导电屏蔽层外,还要增加用铜带或铜丝绕包的金属屏蔽层,这个金属屏蔽层的作用,在正常运行时通过电容电流;当系统发生短路时,作为短路电流的通道,同时也起到屏蔽电场的作用。可见,如果电缆中这层外半导体层和金属屏蔽层不存在,三芯电缆中芯与芯之间发生绝缘击穿的可能性非常大,为此,我们提出一种500KV以下交联聚乙烯绝缘电缆中间接头制作及修复新工艺。

发明内容

本发明的目的在于提供一种500KV以下交联聚乙烯绝缘电缆中间接头制作及修复新工艺,以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的,本发明提供如下技术方案:一种500KV以下交联聚乙烯绝缘电缆中间接头制作及修复新工艺,包括如下步骤:

(1)导体的对接:将导体的两端打磨平整,并在连接端做剖面,放入模具中,两个导体之间预留5mm的间隙,在模具的料斗底部放入钢碟,然后将放热焊粉倒入模具中,最后倒入点燃药,并用点火枪点燃,一分钟后打开模具,清理导体表面的焊渣;

(2)导体屏蔽层:导体屏蔽层修复,在导体上绕包和原有材质一致且同样厚度的导体屏蔽层,防止导体修补留下的棱角刺破导体绝缘和均匀电场的作用;

(3)绝缘层修复:导体修复完成后,将绝缘层统一制成哑铃状,方便绝缘材料的绕包,首先在导体屏蔽层的表面缠绕绝缘带,然后在外面依次包裹高温带、耐火带和铜带;其中绝缘带的厚度和材质均与原有绝缘带一致,然后在修复处缠绕线圈,通电加热,应用磁场感应的原理使电缆导体发热,一定时间后,交联聚乙烯绝缘带达到熔融状态,待交联聚乙烯绝缘带冷却后打开,则修复完成;

(4)绝缘屏蔽层:绝缘屏蔽层修复,包复一层相同材质的绝缘屏蔽层半导电带;

(5)铜带屏蔽层:利用铜带作线芯屏蔽,顺着电缆每一相进行缠绕,缠绕完成后将两端进行焊接;

(6)内护套修复:在填充条和原有的链接表面包裹包带,将提前套上的PVC热收缩管套上火焰加热,内护套修复后将钢带焊接包裹;

(7)钢带保护层: 用准备好的同样规格的钢带焊接在原有钢带保护层的一端,然后顺向绕包,一直绕到原有钢带保护层的另一端,然后进行焊接;

(8)外护套修复:在修复的外护套与原有的护套表面缠绕高温收缩带,然后进行火焰烘烤,将修复的外护套与原有的外护套通过高温加热收缩带的收缩功能收缩成一体。

优选的,所述步骤(1)中提到的模具采用石墨材质,所述放热焊粉的主要成分为氧化铜、氧化铝、氟化钙、硼粉、石墨粉和铝粉,所述熔接头的表面应该平滑而没有过多的熔渣,如果熔渣占表面20%以上或熔渣除去后导线有外露的情况,该接头不能使用。

优选的,所述步骤(3)中在绝缘层修复后,需要在外面绕包半导电带,半导电带绕包完成后进行铜带绕包。

优选的,所述步骤(8)提到的修复用外护套必须采用与原外护套同等厚度的护套,并需要对边角进行修理。

优选的,所述步骤(8)中提到的火焰烘烤,在烘烤过程中需要对火焰进行控制,不得出现蓝色火焰。

优选的,所述步骤(2)中提到的导体屏蔽层要长出裸线10-15mm,所述步骤(2)中提到的导体屏蔽层是以聚乙烯为基料加炭黑组成的半导电材料,所述步骤(8)在进行绕包时外护套两端长出缺陷处50-100mm,且包覆应平整光滑。

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