[发明专利]存储装置与防止意外的编程的方法有效

专利信息
申请号: 201710845487.7 申请日: 2017-09-19
公开(公告)号: CN108615542B 公开(公告)日: 2021-06-29
发明(设计)人: 池育德;洪哲民;曾仁洲;李介文;宋明相;李淑娟;周绍禹;苏郁迪 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: G11C17/16 分类号: G11C17/16;G11C17/18
代理公司: 南京正联知识产权代理有限公司 32243 代理人: 顾伯兴
地址: 中国台湾新竹科*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 存储 装置 防止 意外 编程 方法
【说明书】:

发明实施例提供一种存储装置包括存储电路及熔丝保护电路。所述存储电路包括存储单元及编程线。所述存储单元包括熔丝。所述编程线被配置成接收用于对所述熔丝进行编程的编程电压。所述熔丝保护电路耦合至所述存储电路并被配置成防止对所述熔丝进行意外的编程。一种防止对存储装置的存储单元的熔丝进行意外的编程的方法亦被提供。

技术领域

本发明的实施例涉及一种存储装置,且特别是有关于一种具有熔丝保护电路的存储装置与防止意外的编程的方法。

背景技术

存储装置包括可运作以在其中存储数据的位(即,‘0’或‘1’)的存储单元。存储单元包括熔丝。当熔丝被熔断或编程时,在存储单元中存储例如是‘1’的位。否则,即当熔丝保持原样或未被编程时,存储例如是‘0’的位。

发明内容

根据本发明的实施例,提供一种存储装置包括存储电路及熔丝保护电路。存储电路包括电源线、存储单元及编程线。电源线被配置成接收电源电压,存储单元包括熔丝,编程线被配置成接收用于对所述熔丝进行编程的编程电压。熔丝保护电路耦合至所述存储电路并被配置成防止对所述熔丝进行意外的编程,所述熔丝保护电路包括检测器及开关。检测器被配置成检测流经所述电源线与所述编程线中的一个的静电放电(ESD)电流。开关被配置成当所述检测器检测到所述静电放电电流时将所述电源线与所述编程线中的另一个耦合至地。

在另一实施例中,一种存储装置包括存储电路及熔丝保护电路。存储电路包括电源线、存储单元、编程线、及字线。电源线被配置成接收电源电压。存储单元包括熔丝。编程线被配置成接收用于对熔丝进行编程的编程电压。字线耦合至存储单元。熔丝保护电路耦合至存储电路并被配置成防止对熔丝进行意外的编程,且包括检测器及开关。检测器被配置成检测流经电源线与编程线中的一个的静电放电(ESD)电流。开关被配置成当检测器检测到ESD电流时将字线耦合至地。

在另一实施例中,提供一种防止对存储装置的存储单元的熔丝进行意外的编程的方法。存储装置包括第一编程线及第二编程线,第二编程线耦合至存储单元并选择性地耦合至第一编程线。所述的方法包括:检测流经第一编程线与电源线中的一个的静电放电(ESD)电流,以及基于检测到ESD电流而产生触发信号,触发信号使第二编程线从第一编程线解耦合并将第二编程线耦合至地,从而对ESD电流进行放电。

附图说明

结合附图阅读以下详细说明,会最好地理解本发明的各个方面。应注意,根据本行业中的标准惯例,各种特征并非按比例绘制。事实上,为论述清晰起见,可任意增大或减小各种特征的尺寸。

图1是说明根据某些实施例的第一示例性存储装置的示意图。

图2是说明根据某些实施例的示例性存储电路、示例性静电放电(electro-staticdischarge,ESD)保护电路、及示例性熔丝保护电路的示意图。

图3是说明根据某些实施例的存储装置的示例性操作方法的流程图。

图4是说明根据某些实施例的示例性编程使能电路的示意图。

图5是说明根据某些实施例的示例性检测器的示意图。

图6是说明根据某些实施例的第二示例性存储装置的示意图。

图7是说明根据某些实施例的存储装置的示例性操作方法的流程图。

图8是说明根据某些实施例的第三示例性存储装置的示意图。

图9是说明根据某些实施例的存储装置的示例性操作方法的流程图。

图10是说明根据某些实施例的示例性开关的示意图。

图11是说明根据某些实施例的示例性开关的示意图。

图12是说明根据某些实施例的第四示例性存储装置的示意图。

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