[发明专利]基于Ga元素掺杂有效提高PbTe热电性能的方法有效
申请号: | 201710845594.X | 申请日: | 2017-09-19 |
公开(公告)号: | CN107565011B | 公开(公告)日: | 2019-08-02 |
发明(设计)人: | 昂然;王正上;陈志禹;唐军 | 申请(专利权)人: | 四川大学 |
主分类号: | H01L35/34 | 分类号: | H01L35/34;H01L35/16 |
代理公司: | 成都方圆聿联专利代理事务所(普通合伙) 51241 | 代理人: | 曹少华 |
地址: | 610064 四*** | 国省代码: | 四川;51 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 基于 ga 元素 掺杂 有效 提高 pbte 热电 性能 方法 | ||
1.基于Ga元素掺杂有效提高PbTe热电性能的方法,其特征在于,包括以下步骤:
(1)按1:x:1-x的摩尔比例分别称取Pb粉、Te粉和Ga块,其中x的值分别取0.01~0.05;然后在玛瑙研钵中将Pb粉与Te粉混合,研磨30min,使粉末混合均匀;
(2)将研磨好的粉末转入到Φ=10mm的钢制模具内,用3~5MPa的压力持续5~10min;
(3)将压制好的片状样品与Ga块移入到洗净的Φ=20mm石英管内;利用氢氧发生机进行封管;先用机械泵抽预真空,再用分子泵抽真空至1.5×10-3Pa,封管;
(4)将装有样品的石英管置于箱式炉中进行烧结;
(5)第一次烧结,自然冷却;所述的第一次烧结升温:经过200~1200min从室温升至750℃,保温720min;再经过100~200min升温至1000℃,保温480min;经过100~200min降温到950℃,再经过200~1000min降温到850℃,于空气中自然冷却;
(6)取出烧制过的铸锭于高纯氩气手套箱中,在玛瑙研钵中研磨30min,再通过300目的晒网,使粉末粒径均匀;
(7)然后将通过晒网后粉末转入Φ=10mm的石墨模具中,用3~5MPa的压力持续5~10min;
(8)将石墨模具置于放电等离子体烧结炉中,于60MPa的压力和600℃的温度下保持10min。
2.根据权利要求1所述的基于Ga元素掺杂有效提高PbTe热电性能的方法,其特征在于,步骤(8)所述的放电等离子体烧结升温:于60MPa的压力下2~12min从室温升至600℃,保温10min;再经过100~500min无压力降温至室温。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于四川大学,未经四川大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710845594.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。