[发明专利]一种共沉淀制备氧化钇透明陶瓷的方法在审
申请号: | 201710846459.7 | 申请日: | 2017-09-18 |
公开(公告)号: | CN107721423A | 公开(公告)日: | 2018-02-23 |
发明(设计)人: | 张乐;李全彬;蒋志刚;王忠英;周天元;高光珍;王骋;陈浩 | 申请(专利权)人: | 江苏师范大学 |
主分类号: | C04B35/505 | 分类号: | C04B35/505;C04B35/622;C04B35/63 |
代理公司: | 南京经纬专利商标代理有限公司32200 | 代理人: | 楼高潮 |
地址: | 221000 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 共沉淀 制备 氧化钇 透明 陶瓷 方法 | ||
1.一种共沉淀制备氧化钇透明陶瓷的方法,其特征在于,采用共沉淀法制备氧化钇透明陶瓷,在沉淀反应阶段,反应溶液的搅拌速率控制在330~430r/min,它包括如下步骤:
1)共沉淀反应:向容器中倒入硝酸钇溶液,钇离子溶液浓度范围为0.05~0.3mol/L,向硝酸钇溶液中加入(NH4)2SO4作为分散剂,采用搅拌器对混合溶液进行搅拌;搅拌均匀后将沉淀剂泵送至硝酸钇溶液溶液中;当pH值达7.8~9.0时,停止喷射和搅拌,将反应溶液静置陈化12~36h;抽滤、干燥前驱体,以去除前驱体中的无水乙醇;
2)煅烧:将干燥后的前驱体粉末进行过筛处理,过筛后放入马弗炉中进行900~1300℃煅烧1~3h,得到纳米氧化钇粉体;
3)成型:将煅烧后的氧化钇粉体进行过筛处理,并将所得粉体进行干压成型,随后进行冷等静压;
4)烧结:将素坯在马弗炉中进行素烧,去除有机物。再将素烧后的素坯其放入真空烧结炉中进行真空烧结、退火;
5)研磨抛光:将退火后的陶瓷片进行双面研磨抛光至1-3mm,得到氧化钇透明陶瓷。
2.如权利要求1所述的一种共沉淀制备氧化钇透明陶瓷的方法,其特征在于:所述的步骤(1)中搅拌器的旋转直径与置放反应溶液的容器直径D/T范围为0.3~0.45,分散剂的氨水和碳酸氢铵的复合沉淀剂,碳酸氢铵和氨水浓度范围为1.5~2mol/L,碳酸氢铵与氨水摩尔比范围为0~3;沉淀剂泵送到硝酸钇溶液的方式为滴入或者喷入,泵送硝酸钇溶液时泵送范围为2~10mL/min;沉淀剂用蠕动泵泵送。
3.如权利要求1所述的一种共沉淀制备氧化钇透明陶瓷的方法,其特征在于:所述的步骤(1)中(NH4)2SO4与Y(NO3)3摩尔比范围为5~30mol%,加入分散剂后搅拌时间范围为0.5~1h,碳酸氢铵和氨水浓度范围为1.5~2mol/L。
4.如权利要求1所述的一种共沉淀制备氧化钇透明陶瓷的方法,其特征在于:所述的步骤(1)中干燥温度范围为30~60℃,干燥时间范围为12~36h。
5.如权利要求1所述的一种共沉淀制备氧化钇透明陶瓷的方法,其特征在于:所述的步骤(3)中干压压力范围为15~30Mpa,保压时间范围为1~3min,压为直径范围为15~30mm的圆形素坯;冷等静压的压力范围为180~240Mpa,保压时间范围为3~10min。
6.如权利要求1所述的一种共沉淀制备氧化钇透明陶瓷的方法,其特征在于:所述的步骤(4)中素烧时间范围为3-8h,素烧温度范围为700~900℃,真空烧结时间范围为4~16h,烧结温度范围为1600~1800℃;退火温度范围为1100~1300℃,退火时间范围为8~12h。
7.如权利要求1所述的一种共沉淀制备氧化钇透明陶瓷的方法,其特征在于:在沉淀反应阶段,所述的反应溶液的搅拌速率控制在380~400r/min。
8.如权利要求7所述的一种共沉淀制备氧化钇透明陶瓷的方法,其特征在于:在沉淀反应阶段,所述的反应溶液的搅拌速率控制在390r/min。
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