[发明专利]半导体存储装置、控制器及其操作方法在审

专利信息
申请号: 201710846920.9 申请日: 2017-09-19
公开(公告)号: CN108062965A 公开(公告)日: 2018-05-22
发明(设计)人: 金落显;朴岷圭;李珉圭 申请(专利权)人: 爱思开海力士有限公司
主分类号: G11C29/18 分类号: G11C29/18;G11C29/26
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 李辉;刘久亮
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体 存储 装置 控制器 及其 操作方法
【权利要求书】:

1.一种半导体存储装置,该半导体存储装置包括:

存储单元阵列,所述存储单元阵列包括多个存储块;

读/写电路,所述读/写电路被配置为将数据写入所述存储单元阵列或者从所述存储单元阵列读取数据;

控制逻辑,所述控制逻辑被配置为控制所述读/写电路对所述存储单元阵列执行读/写操作;以及

块缺陷信息存储单元,所述块缺陷信息存储单元被配置为存储所述多个存储块的访问记录和关于在所述多个存储块中是否发生缺陷的信息,

其中,当请求对所述多个存储块当中的任意一个存储块执行操作时,所述控制逻辑基于所述访问记录确定是否对所述存储块执行字线测试,并且基于确定对所述存储块执行所请求的操作。

2.根据权利要求1所述的半导体存储装置,其中,所述块缺陷信息存储单元包括:

块访问信息存储单元,所述块访问信息存储单元被配置为存储所述多个存储块的访问记录;以及

字线缺陷信息存储单元,所述字线缺陷信息存储单元被配置为基于所述字线测试的结果来存储字线缺陷信息。

3.根据权利要求2所述的半导体存储装置,其中,当所述存储块被首次访问时,所述控制逻辑控制所述读/写电路对所述存储块中的至少一条字线执行所述字线测试,将所述存储块的所述字线测试的结果作为所述字线缺陷信息存储在所述字线缺陷信息存储单元中,更新关于所述存储块的访问记录,并且对所述存储块执行所请求的操作。

4.根据权利要求2所述的半导体存储装置,其中,当所述存储块已经被访问时,所述控制逻辑控制所述读/写电路对所述存储块执行所请求的操作,而不执行所述字线测试。

5.根据权利要求1所述的半导体存储装置,其中,所述块缺陷信息存储单元包括:

块访问信息存储单元,所述块访问信息存储单元被配置为存储所述多个存储块的访问记录;

组信息存储单元,所述组信息存储单元被配置为存储用于将所述多个存储块中的字线分组成多个字线组的组信息;以及

组缺陷信息存储单元,所述组缺陷信息存储单元被配置为基于关于所述多个存储块中的每一个的字线组的字线测试的结果来存储组缺陷信息。

6.根据权利要求5所述的半导体存储装置,其中,当所述存储块被首次访问时,所述控制逻辑控制所述读/写电路对所述存储块的每个字线组中的至少一条字线执行所述字线测试,将针对所述存储块的每个字线组的所述字线测试的结果作为所述组缺陷信息存储在所述组缺陷信息存储单元中,更新关于所述存储块的访问记录,并且对所述存储块执行所请求的操作。

7.根据权利要求6所述的半导体存储装置,其中,当所述存储块的每个字线组中包括至少一个缺陷字线时,所述控制逻辑将对应字线组确定为缺陷字线组,并且

其中,当所述对应字线组中包括的所有字线都是正常字线时,所述控制逻辑将所述对应字线组确定为正常字线组。

8.根据权利要求5所述的半导体存储装置,其中,所述多个字线组包括具有相同数目的字线。

9.一种用于包括多个存储块的半导体存储装置的操作方法,该操作方法包括以下步骤:

接收用于所述多个存储块当中的任意一个存储块的命令;

确定是否对所述存储块执行缺陷测试;

基于确定来执行所述缺陷测试;以及

对所述存储块执行与接收到的命令对应的操作。

10.根据权利要求9所述的操作方法,其中,基于所述存储块是否是被首次访问来确定是否执行所述缺陷测试,

其中,所述命令包括编程命令、读取命令和擦除命令中的任意一个,并且与接收到的命令对应的所述操作包括编程操作、读取操作和擦除操作中的任意一个。

11.根据权利要求10所述的操作方法,其中,基于针对所述存储块的访问记录来确定所述存储块是否是被首次访问。

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