[发明专利]光电传感器、阵列基板、显示面板及显示装置在审
申请号: | 201710847716.9 | 申请日: | 2017-09-19 |
公开(公告)号: | CN107611194A | 公开(公告)日: | 2018-01-19 |
发明(设计)人: | 贾亚楠;董学;吕敬;王海生;吴俊纬;刘英明;许睿;李昌峰;赵利军;顾品超;秦云科;韩艳玲;郭玉珍;魏从从 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/028 | 分类号: | H01L31/028;H01L31/0352;H01L31/09;H01L31/18;H01L27/12;G06K9/00;B82Y30/00 |
代理公司: | 北京律智知识产权代理有限公司11438 | 代理人: | 王辉,阚梓瑄 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光电 传感器 阵列 显示 面板 显示装置 | ||
1.一种光电传感器,用于指纹识别,其特征在于,包括:
第一透明电极层,用于接收入射光;
第一电极层,所述第一电极层不透光,与所述第一透明电极层相对设置;
光感应层,位于所述第一电极层和所述第一透明电极层之间且包括多个粒径不同的纳米晶硅颗粒。
2.根据权利要求1所述的光电传感器,其特征在于,所述光感应层包括:
多个纳米晶硅层,每一所述纳米晶硅层包括一种粒径的所述纳米晶硅颗粒,且各所述纳米晶硅层包含的所述纳米晶硅颗粒的粒径不完全相同。
3.根据权利要求2所述的光电传感器,其特征在于,沿自所述第一透明电极层到所述第一电极层的方向,多个所述纳米晶硅层按照包含的所述纳米晶硅颗粒的粒径按升序层叠排布。
4.根据权利要求2所述的光电传感器,其特征在于,相邻的两所述纳米晶硅层之间设有:
连接层,用于串联连接相邻的两所述纳米晶硅层。
5.根据权利要求2所述的光电传感器,其特征在于,相邻的两所述纳米晶硅层之间设有:
第二透明电极层;
第三透明电极层,与所述第二透明电极层相对设置;
绝缘层,位于所述第二透明电极层和第三透明电极层之间。
6.根据权利要求1所述的光电传感器,其特征在于,多个粒径不同的所述纳米晶硅颗粒位于同一纳米晶硅层中。
7.根据权利要求1-6任一项所述的光电传感器,其特征在于,所述第一透明电极层、第二透明电极层、第三透明电极层为金属或金属氧化物。
8.一种阵列基板,其特征在于,包括:
衬底基板;
形成于所述衬底基板上的薄膜晶体管;以及
根据权利要求1至7任一项所述的光电传感器,所述光电传感器位于所述阵列基板上并与所述薄膜晶体管电耦合。
9.一种显示面板,其特征在于:包含如权利要求8所述的阵列基板。
10.一种显示装置,其特征在于:包含如权利要求9所述的显示面板。
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