[发明专利]一种基于透明导电氧化物的双偏振同时独立调制的电光强度调制器

权利要求书

1.一种基于透明导电氧化物的双偏振同时独立调制的电光强度调制器，其特征在于，包括基底层，所述基底层上设置有波导层，所述波导层为脊型波导；所述脊型波导的脊型凸起结构的顶部及两侧面依次覆盖第一介质层和透明导电氧化物层，且顶部的所述透明导电氧化物层与左右两侧面的所述透明导电氧化物层无连接；所述脊型波导的平板区上覆盖第二介质层；所述脊型波导的波导区两侧上表面分别设置一电极，即第一电极、第二电极；所述脊型凸起结构的两侧面上的所述透明导电氧化物层上分别设置一电极，即第三电极、第四电极，顶部的所述透明导电氧化物层上设置第五电极。

2.如权利要求1所述的电光强度调制器，其特征在于，顶部的所述透明导电氧化物层两侧面分别覆盖一第三介质层。

3.如权利要求2所述的电光强度调制器，其特征在于，所述第一介质层、第二介质层、第三介质层均由绝缘材料制成。

4.如权利要求2或3所述的电光强度调制器，其特征在于，所述第一介质层为氧化铪，厚度为5nm；所述第二介质层为氧化硅，厚度为30nm；第三介质为氧化硅。

5.如权利要求1或2或3所述的电光强度调制器，其特征在于，所述脊型凸起结构的两侧面的透明导电氧化物层延伸覆盖部分所述第二介质层；所述第三电极、第四电极设置于覆盖在所述第二介质层上的透明导电氧化物层上。

6.如权利要求1所述的电光强度调制器，其特征在于，所述透明导电氧化物层为锡铟氧化物层。

7.如权利要求1所述的电光强度调制器，其特征在于，所述平板波导的平板厚度为30nm，所述平板波导的脊型区高度为190nm、脊型区宽度为250nm。

8.如权利要求1所述的电光强度调制器，其特征在于，所述第一电极、第二电极均为能与所述平板波导形成欧姆接触的金属。

9.如权利要求1所述的电光强度调制器，其特征在于，所述第三电极、第四电极、第五电极均为能与所述透明导电氧化物形成欧姆接触的金属。

10.如权利要求1所述的电光强度调制器，其特征在于，所述第五电极与第一电极、第二电极之间的电压为V_TM，用于控制TM模损耗；所述脊型波导一侧的所述第一电极、第三电极之间的电压为V_TE，所述脊型波导另一侧的所述第二电极、第四电极之间的电压为V_TE，电压V_TE用于控制TE模损耗。