[发明专利]一种表面亲水改性杂化硅膜的制备方法

权利要求书

1.一种表面亲水改性杂化硅膜的制备方法，其特征在于：所述的制备方法为，通过将杂化硅膜材料静置在溴蒸汽中发生亲电加成反应得到溴代杂化硅膜，然后将溴代杂化硅膜静置在氨蒸汽中使溴原子被氨分子取代制备得到氨基官能化的杂化硅膜；

杂化硅膜分离层由含有碳碳双键的有机硅溶胶制得，所述有机硅为桥架结构的有机硅(R'O)₃-Si-R-Si-(OR')₃或侧基结构的有机硅(R'O)₃Si-R，R'为乙烷基，R为含有碳碳双键的烯烃基团。

2.如权利要求1所述的表面亲水改性杂化硅膜的制备方法，其特征在于：所述制备方法的具体操作为，

(1)将杂化硅膜放置在含有液溴的真空干燥皿中，杂化硅膜与液溴不接触，之后将真空干燥皿进行排气，使溴蒸汽与杂化硅膜进行充分反应；

(2)排空步骤(1)真空干燥皿中的液溴蒸汽，取出杂化硅膜，进行真空加热干燥；

(3)将步骤(2)干燥后的杂化硅膜同样以不接触的方式放入含有氨水的真空干燥皿中，之后也将真空干燥皿进行排气，使膜材料与氨蒸汽进行充分反应，然后取出膜材料保存。

3.如权利要求2所述的表面亲水改性杂化硅膜的制备方法，其特征在于：步骤(1)中，在真空干燥皿中放入一个烧杯和一个表面皿，烧杯中放入液溴，表面皿中放入杂化硅膜。

4.如权利要求2所述的表面亲水改性杂化硅膜的制备方法，其特征在于：步骤(1)中，杂化硅膜的制备方法为，

首先在乙醇溶剂中通过硅源前驱体的水解和聚合反应制备溶胶，

其次，将硅锆溶胶涂布在多孔的α-氧化铝支撑体上，并在550℃下煅烧30min制备硅锆过渡层，涂布次数为5～8次，

然后将前述的硅源前驱体制备的溶胶涂覆在前述的过渡层上，在空气气氛中以300℃烧制20min。

5.如权利要求2所述的表面亲水改性杂化硅膜的制备方法，其特征在于：步骤(1)中，将真空干燥皿进行排气时，控制压强降低至3kPa使溴蒸汽与杂化硅膜反应。

6.如权利要求2所述的表面亲水改性杂化硅膜的制备方法，其特征在于：步骤(2)中，真空加热干燥的温度为100℃、时间为12h、压强为0.0133Pa。

7.如权利要求2所述的表面亲水改性杂化硅膜的制备方法，其特征在于：步骤(3)中，氨水浓度为25wt.％。

8.如权利要求2所述的表面亲水改性杂化硅膜的制备方法，其特征在于：步骤(3)中，将真空干燥皿进行排气时，控制压强降低至80kPa使膜材料与氨蒸汽反应，且反应温度为室温，反应时间为12h。