[发明专利]基板处理方法和基板处理装置

权利要求书

1.一种基板处理方法，包括：

基板保持工序，将基板保持为水平；

基板旋转工序，使保持为水平的所述基板以沿着铅垂方向的旋转轴线为中心旋转；

液膜形成工序，向保持为水平且旋转的所述基板的上表面供给用于处理所述基板的上表面的疏水剂，从而在所述基板的上表面形成所述疏水剂的液膜；

蒸气供给工序，向具有与保持为水平的所述基板的下表面相向的相向面的加热器单元的所述相向面和，所述基板的下表面之间的空间，供给第二有机溶剂的蒸气；

基板加热工序，与所述基板旋转工序和所述液膜形成工序并行，利用供给至所述空间的所述第二有机溶剂的蒸气加热旋转状态的所述基板；以及

基板干燥工序，在所述基板加热工序后，将保持为水平的所述基板的上表面的所述疏水剂的液膜置换为表面张力低于水的低表面张力液体的液膜，从所述基板排除所述疏水剂的液膜，使所述基板停止旋转，并且，在将所述基板与所述加热器单元接触的状态下，从所述基板的上表面排除所述低表面张力液体的液膜来使所述基板干燥，

所述疏水剂为使硅本身和含有硅的化合物疏水化的硅类的疏水剂或者使金属本身和含有金属的化合物疏水化的金属类的疏水剂，

所述硅类的疏水剂为硅烷偶联剂，所述硅烷偶联剂含有六甲基二硅氮烷、四甲基硅烷、氟化烷基氯硅烷、烷基二硅氮烷和非氯化类的疏水剂中的至少一种，所述非氯化类的疏水剂含有二甲基硅烷二甲基胺、二甲基(二甲胺基)硅烷、六甲基二硅氮烷、四甲基二硅氮烷、双(二甲基氨基)二甲基硅烷、N，N-二甲基三甲基硅胺、N-(三甲基硅基)二甲胺和有机硅烷化合物中的至少一种，

所述金属类的疏水剂含有具有疏水基团的胺和有机硅化合物中的至少一种，

所述第二有机溶剂是挥发性高于水的挥发性有机溶剂，且是含有异丙醇、氢氟醚、甲醇、乙醇、丙酮和反式-1,2-二氯乙烯中的至少一种的液体或所述疏水剂，

所述低表面张力液体是含有异丙醇、氢氟醚、甲醇、乙醇、丙酮和反式-1,2-二氯乙烯中的至少一种的液体。

2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，

所述基板加热工序包括利用所述加热器单元加热供给到所述空间的所述第二有机溶剂的蒸气的工序。

3.根据权利要求1或2所述的基板处理方法，其中，

所述蒸气供给工序包括：第二有机溶剂供给工序，向所述空间供给液状或雾状的所述第二有机溶剂；以及第二有机溶剂气化工序，通过利用所述加热器单元加热液状或雾状的所述第二有机溶剂，使液状或雾状的所述第二有机溶剂气化。

4.根据权利要求3所述的基板处理方法，其中，

所述第二有机溶剂供给工序包括向所述加热器单元的所述相向面供给液状或雾状的所述第二有机溶剂的工序。

5.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，

所述基板干燥工序中的所述低表面张力液体的液膜的排除包括：开口形成工序，通过向所述低表面张力液体的液膜的中央区域供给非活性气体，在所述低表面张力液体的液膜形成开口；以及开口扩大工序，通过扩大所述开口，从所述基板的上表面排除所述低表面张力液体的液膜。

6.根据权利要求1或2所述的基板处理方法，其中，

所述基板干燥工序包括加热器单元移动工序，在所述加热器单元移动工序中，为了使所述相向面与处于停止旋转的状态的所述基板的下表面接触，使所述加热器单元接近所述基板的下表面。

7.根据权利要求1或2所述的基板处理方法，其中，

所述第二有机溶剂的组成和所述低表面张力液体的组成相同。