[发明专利]一种高耐电强度的线性介质陶瓷及其制备方法有效
申请号: | 201710851674.6 | 申请日: | 2017-09-19 |
公开(公告)号: | CN107473734B | 公开(公告)日: | 2020-07-10 |
发明(设计)人: | 陈莹;黄叶;李鑫;董显林 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
主分类号: | C04B35/478 | 分类号: | C04B35/478 |
代理公司: | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人: | 曹芳玲;郑优丽 |
地址: | 200050 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 高耐电 强度 线性 介质 陶瓷 及其 制备 方法 | ||
1.一种具有高耐电强度的线性介质陶瓷,其特征在于,所述线性介质陶瓷的化学组成按照折算为氧化物的方式包括aCaO-bMgO-cAl2O3-dSiO2-eTiO2-xMO,其中MO为金属氧化物,a、b、c、d、e、x为质量百分比,0.03≤a≤0.12,0.02≤b≤0.10,0.25≤c≤0.40,0.05≤d≤0.25,0.40≤e≤0.60且满足a+b+c+d+e=1;
所述金属氧化物MO为MnO2、CeO2、Nb2O5、La2O3、Ni2O3和ZrO2中的至少一种;
当所述金属氧化物MO为MnO2时,0<x≤0.025;
当所述金属氧化物MO为CeO2时,0<x≤0.02;
当所述金属氧化物MO为Nb2O5时,0<x≤0.015;
当所述金属氧化物MO为La2O3时,0<x≤0.015;
当所述金属氧化物MO为Ni2O3时,0<x≤0.025;
当所述金属氧化物MO为ZrO2时,0<x≤0.025;
所述线性介质陶瓷的耐电强度为51.64~82.06 kV/mm。
2.一种如权利要求1所述的线性介质陶瓷的制备方法,其特征在于,包括:
按照所述化学组成称取Ca源、Mg源、Al源、Si源、Ti源,球磨或混合、煅烧合成陶瓷粉体;
加入M源、粘结剂,混合、压制成素坯、排塑、烧结制得所述线性介质陶瓷;
将所得坯体经排塑后,再经烧结,得到所述具有高耐电强度的线性介质陶瓷。
3.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于,所述煅烧合成的温度为900~1100℃,时间为2~4小时。
4.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于,所述Ca源为CaO、CaCO3和CaTiO3中的一种,所述Mg源为MgO或/和MgCO3,所述Al源为Al2O3,所述Si源为SiO2,所述Ti源为CaTiO3或/和TiO2,所述M源为金属M的氧化物或者碳酸盐。
5.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于,所述排塑的温度为600~800℃,时间1~3小时。
6.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于,所述粘结剂为聚乙烯醇、聚乙烯醇缩丁醛和酚醛树脂中的至少一种,所述粘结剂的加入量为原料粉体总质量的2~7wt%。
7.根据权利要求2-6中任一项所述的制备方法,其特征在于,所述烧结的温度为1220~1300℃,时间为2~6小时。
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