[发明专利]一种发光二极管的外延片的制备方法在审
| 申请号： | 201710852359.5 | 申请日： | 2017-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN107863422A | 公开（公告）日： | 2018-03-30 |
| 发明（设计）人： | 孙玉芹;董彬忠;王江波 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/12 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省金华市义*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 外延 制备 方法 | ||
1.一种发光二极管的外延片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：
提供一衬底；
在所述衬底上生长AlN缓冲层；
对所述AlN缓冲层进行温度稳定处理，所述温度稳定处理包括：
将生长有所述AlN缓冲层的所述衬底置于1000～1050℃环境下，持续时间为t，0＜t≤10min；
在生长有所述AlN缓冲层的所述衬底上依次生长三维GaN岛状层、n型GaN层、发光层和p型GaN层。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述温度稳定处理时的环境压力为450～550torr。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，10s＜t≤5min。
4.根据权利要求1～3任一项所述的制备方法，其特征在于，所述三维GaN岛状层的生长温度为1000℃～1050℃。
5.根据权利要求1～3任一项所述的制备方法，其特征在于，所述n型GaN层的生长温度为1100℃～1200℃。
6.根据权利要求1～3任一项所述的制备方法，其特征在于，所述n型GaN层的生长压力为180～220torr。
7.根据权利要求1～3任一项所述的制备方法，其特征在于，所述发光层的生长压力为180～220torr。
8.根据权利要求1～3任一项所述的制备方法，其特征在于，所述发光层包括InGaN阱层和GaN垒层，所述InGaN阱层的生长温度为750℃～780℃。
9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述GaN垒层的生长温度为880℃～920℃。
10.根据权利要求1～3任一项所述的制备方法，其特征在于，所述p型GaN层的生长温度为940℃～970℃。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华灿光电（浙江）有限公司，未经华灿光电（浙江）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710852359.5/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种半封闭淋砂机
- 下一篇：氮化铝系半导体深紫外发光元件
