[发明专利]半导体装置、半导体系统和半导体装置的控制方法有效

专利信息
申请号: 201710852792.9 申请日: 2017-09-20
公开(公告)号: CN107888172B 公开(公告)日: 2023-08-04
发明(设计)人: 福冈一树;植村俊文;北地祐子;冈崎叶助;村山晓 申请(专利权)人: 瑞萨电子株式会社
主分类号: H03K17/22 分类号: H03K17/22;H03K3/011;H03K3/03;G01R19/165
代理公司: 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 代理人: 张小稳
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体 装置 系统 控制 方法
【说明书】:

本公开涉及半导体装置、半导体系统和半导体装置的控制方法。本发明的一个目的在于提供能够准确地监测要监测的电路的最低操作电压的半导体装置、半导体系统和半导体装置的控制方法。根据一个实施例,半导体系统的监测器单元包括:电压监测器,该电压监测器由与供应给作为要监测的电路的内部电路的第一电源电压不同的第二电源电压驱动,并监测第一电源电压;以及延迟监测器,该延迟监测器由第一电源电压驱动,并监测内部电路中的关键路径的信号传播时间段。

相关申请的交叉引用

2016年9月30日提交的日本专利申请No.2016-192420的公开内容(包括说明书、附图和摘要)通过引用整体并入本文。

技术领域

本发明涉及半导体装置、半导体系统和半导体装置的控制方法,并且具体涉及适合用于准确地监测要监测的电路的最低操作电压的半导体装置、半导体系统和半导体装置的控制方法。

背景技术

近年来,为了保证由电源电压驱动的内部电路的操作,半导体系统设置有监测器电路,以监测电源电压是否降低到内部电路的最低操作电压之下。

例如,日本未审查的专利申请公开No.Hei 6(1994)-296125公开了一种构造,该构造通过将具有大变化和低最低操作电压的电源电压检测电路与具有高准确度和高最低操作电压的电源电压检测电路相互组合,而即使在低电压下也能够准确地检测电源电压而不出现故障。

另外,日本未审查的专利申请公开No.Hei 8(1996)-274607公开了通过使用环形振荡器测量传播延迟时间段来监测电源电压的构造。

发明内容

已知电源电压检测电路的电源电压的检测准确度由于老化劣化等的影响而逐渐劣化。这里,在日本未审查的专利申请公开No.Hei 6(1994)-296125的构造中,存在因为只提供了两种电源电压检测电路而使得电源电压的检测准确度由于老化劣化的影响而劣化的问题。从说明书和附图的描述中,其它目的和新颖特征将变得明显。

根据一个实施例的半导体装置包括:电压监测器,由第二电源电压驱动,并监测第一电源电压,第二电源电压与供应给要监测的电路的第一电源电压不同;以及延迟监测器,由第一电源电压驱动,并监测要监测的电路中的关键路径的信号传播时间段。

在根据一个实施例的半导体装置的控制方法中,使用由第二电源电压驱动的电压监测器监测第一电源电压,第二电源电压与供应给要监测的电路的第一电源电压不同;以及使用由第一电源电压驱动的延迟监测器来监测要监测的电路中的关键路径的信号传播时间段。

根据实施例,可以提供能够准确地监测要监测的电路的最低操作电压的半导体装置、半导体系统和半导体装置的控制方法。

附图说明

图1是用于说明根据第一实施例的半导体系统的概览的图示;

图2是用于示出根据第一实施例的半导体系统的构造示例的框图;

图3是用于示出设置在图2所示的半导体系统中的电压监测器的构造示例的框图;

图4是用于示出设置在图2所示的半导体系统中的延迟监测器的构造示例的框图;

图5是用于示出设置在图4所示的延迟监测器中的振荡单元的构造示例的框图;

图6是用于示出在高温最差条件下设置在图5所示的振荡单元中的各环形振荡器的温度与操作速度之间的关系的图示;

图7是用于示出在低温最差条件下设置在图5所示的振荡单元中的各环形振荡器的温度与操作速度之间的关系的图示;

图8是用于示出设置在图5所示的振荡单元中的环形振荡器的具体构造示例的图示;

图9是用于示出设置在图5所示的振荡单元中的环形振荡器的具体构造示例的图示;

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