[发明专利]用于制造多栅极晶体管的工艺和产生的结构

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，包括：

在衬底上形成中间晶体管结构，所述中间晶体管结构包括第一伪栅极结构和第二伪栅极结构；

在所述中间晶体管结构、第一伪栅极结构和所述第二伪栅极结构上方沉积介电层；

去除所述第一伪栅极结构以形成第一凹槽；

在所述第一凹槽中沉积牺牲材料；

在沉积所述牺牲材料之后，对所述介电层实施至少一个工艺以提高所述介电层相对于预定的蚀刻工艺的蚀刻抵抗力；以及

使用所述预定的蚀刻工艺去除所述第二伪栅极结构。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述至少一个工艺包括将元素物质注入至所述介电层内。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述元素物质包括选自由硅、磷、硼以及它们的组合组成的组中的元素。

4.根据权利要求2所述的方法，其中，所述元素物质是在从室温至500℃的注入温度下注入的硅。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述预定的蚀刻工艺采用选自由四甲基氢氧化铵(TMAH)、HBr、HF、卤化物蚀刻剂以及它们的组合组成的组中的蚀刻剂，并且期望的蚀刻性能是抵抗来自TMAH、HBr、HF和卤化物蚀刻剂的一种或多种的攻击。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述至少一个工艺增加了所述介电层的至少顶部的硅-硅键的密度。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述顶部从所述介电层的最顶表面延伸至所述介电层内的深度为从5nm至125nm。

8.根据权利要求1所述的方法，还包括在通过去除所述第二伪栅极结构形成的第二凹槽中形成金属栅极结构。

9.一种制造半导体器件的方法，包括：

形成从衬底延伸并且由隔离层围绕的鳍结构；

在所述鳍结构上方沉积多晶硅层；

图案化所述多晶硅层以形成多个伪结构，所述伪结构包括在所述鳍结构上方延伸的伪栅极结构；

在邻近所述伪栅极结构的第一侧的鳍中形成源极区域，并且在邻近所述伪栅极结构的第二侧的鳍中形成漏极区域；

在所述鳍结构和所述伪栅极结构上方沉积层间电介质(ILD)；

去除所述伪结构的部分以形成凹槽；

在所述凹槽中并且在所述伪栅极结构和所述层间电介质上方沉积填充材料；

平坦化所述填充材料以暴露所述伪栅极结构和所述层间电介质；

处理所述层间电介质以增加所述层间电介质对预定的蚀刻工艺的抵抗力；

实施所述预定的蚀刻工艺以去除所述伪栅极结构；以及

形成金属栅极结构代替去除的伪栅极结构。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，处理所述层间电介质包括将物质注入至所述层间电介质。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述层间电介质包括氧化硅并且所述物质包括硅。

12.根据权利要求9所述的方法，其中，处理所述层间电介质包括增加所述层间电介质中硅-硅键的密度。

13.根据权利要求9所述的方法，其中，处理所述层间电介质包括在从25℃至500℃的温度下，以从1KeV至80KeV的注入能量注入元素物质至密度在从1E13至1E17原子/cm2的范围内。

14.根据权利要求13所述的方法，其中，所述元素物质选自硅、磷、硼以及它们的组合组成的组。

15.根据权利要求9所述的方法，其中，所述层间电介质包括氧化硅并且其中，所述预定的蚀刻工艺包括TMAH、HBr、HF、卤化物蚀刻剂或它们的组合。