[发明专利]采用新型掺杂方式的PERT晶体硅太阳电池的制作方法

权利要求书

1.一种采用新型掺杂方式的PERT晶体硅太阳电池的制作方法，其特征在于包括以下步骤：

(1)硅片单面制绒，清洗：选择P型硅片，对选择的P型硅片的双面在碱液下进行表面绒面化，然后在酸性条件下进行化学清洗，除去表面杂质；

(2)采用B、P共扩工艺，正面P扩散，背面B扩散，硅片两片为一组，每组硅片采用竖直背靠背的方式进行扩散，两片硅片背面之间插入纸状固态源B源，正面采用通三氯氧磷的方式进行正面磷扩散；推进扩散炉在进行高温共扩散，使硅片的正面形成n+掺杂层，背面形成p+掺杂层；

(3)刻蚀工序，清洗去除硅片表面残留的磷硅玻璃和硼硅玻璃；

(4)背面单面沉积氧化铝/氮化硅叠层膜；

(5)正面沉积氮化硅减反射膜；

(6)背面局部打开薄膜，露出B掺杂层：背面进行金属化接触，具体采用激光在背面局部打开薄膜，露出B掺杂层，进行局域硅铝接触；

(7)背面印刷背电极和铝层，正面印刷银栅线；

(8)烧结，测试。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于步骤(1)中制绒，清洗具体为：用质量分数为1.2±0.2％的氢氧化钠或氢氧化钾溶液在80±2℃下对P型硅片表面进行化学腐蚀，制备出金字塔形状的绒面，随后用质量分数为15±3％的氢氟酸进行清洗。

3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于步骤(2)中：纸状固态源B源的厚度为1um-100um，三氯氧磷的流速为1000±200sccm。

4.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于步骤(2)中：高温共扩散工艺为840±30℃。

5.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于步骤(4)中：氧化铝膜的膜厚为30±6nm，氮化硅膜的膜厚为100±6nm。

6.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于步骤(5)中：氮化硅减反射膜的膜厚为76±8nm。

7.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于步骤(6)中：所述硅铝接触的工艺为通过印刷的方式将铝浆印在电池片背面，印刷铝浆厚度10±6nm。