[发明专利]一种多合一Flash控制器及制卡方法在审
申请号: | 201710854265.1 | 申请日: | 2017-09-20 |
公开(公告)号: | CN107622027A | 公开(公告)日: | 2018-01-23 |
发明(设计)人: | 万波;后嘉伟 | 申请(专利权)人: | 南京扬贺扬微电子科技有限公司 |
主分类号: | G06F13/16 | 分类号: | G06F13/16;G06F8/654 |
代理公司: | 江苏圣典律师事务所32237 | 代理人: | 贺翔,徐晓鹭 |
地址: | 210000 江苏省南京市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 合一 flash 控制器 方法 | ||
技术领域
本发明属于集成电路芯片设计领域,特别涉及一种多合一Flash控制器及其制卡方法。
背景技术
目前有专用SPI Flash控制器芯片、SD Flash控制器芯片、eMMC Flash控制器芯片,基于不同的应用场景来选用不同接口类型的控制器芯片。不同接口的 Flash控制芯片只有接口协议部分不同,内部Flash控制管理部分的设计都是相同的。随着Flash容量和性能的不断提高,对Flash管理控制越来越复杂。导致控制器芯片的开发难度越来越大,工艺要求越来越高,随之而来的控制器整个开发成本很高。
发明内容
本发明的目的是提供一种将SPI、SD、eMMC三种总线协议整合在一颗芯片内部的方案。实现有效共享芯片内部设计资源,在不大幅增大Flash控制芯片面积的前提下,将三种专用芯片功能集成到一颗芯片上,加速了芯片开发进度,有效降低了芯片设计成本和流片成本。
本发明提供的一种多合一Flash控制器,所述控制器包括控制模式选择引脚、总线接口模块、微处理器模块、数据缓存模块、闪存管理控制模块;
所述总线协议解析模块与微处理器、模拟模块以及数据缓存模块连接,所述总线协议解析模块外部连接有控制模式选择引脚,所述控制模式选择引脚连接控制器内部的选择器电路,启动对应控制模式;
所述总线协议解析模块对数据进行解析,并通知微处理器模块进行分析,内置软件针对不同的命令控制闪存管理模块进行相应的控制。
所述总线协议解析模块用于解析SPI、SD、EMMC三种闪存各自对应的接口协议,所述控制模式选择引脚针对SPI、SD、EMMC三种闪存设置触发信号。
所述为处理器模块包含只读存储器和存取存储器,所述只读存储器用于存放引导程序和数据,所述存取存储器用于存储变量。
所述数据缓存模块用于存放不同型号闪存上传或下载的数据信息。
该控制器还包括程序SRAM模块,所述程序SRAM模块用于存放所述控制器对每个型号芯片的对应的控制指令、接口协议。
针对上述控制器本发明还提供一种多合一Flash控制器的制卡方法,对控制器上电,从闪存管理控制模块读取软件列表;然后从所述闪存管理控制模块将程序下载在程序SRAM上对程序进行烧制;
所述烧制过程首先通过引导程序启动到某一型号芯片模式,读取闪存管理控制模块中闪存的ID,确认闪存型号;
再将控制程序下传到闪存中;
分别针对各型号芯片进行控制程序烧制。
该方法利用Snopsys公司的design compiler工具对所述控制程序进行烧制。
本发明采用以上技术方案与现有技术相比,具有以下技术效果:
我们针对控制器芯片内部各模块利用Snopsys公司的design compiler工具,基于中芯国际SMIC 110nm的工艺库进行综合,得到各模块的面积报告。从结果来看:SD/MMC,SPI协议解析模块所占的总面积为3.6%。其他共用模块所占面积超过96%。充分说明三合一模式对于芯片面积的影响很小,也就是三合一控制器芯片相比单一芯片成本增加非常有限。但用一次芯片生产成本得到三颗不同的芯片,这样大大降低了芯片生产成本。
附图说明
图1为本发明中微处理器模块示意图;
图2为本发明中Flash管理控制模块示意图;
图3为本发明内部结构示意图;
图4、图5为制卡程序流程;
图6为芯片上电工作;
图7为SPI模式结构框图;
图8为SD模式结构框图;
图9为eMMC模式结构框图;
图10为SPI模式数据写入流程示意图;
图11为SD/eMMC模式情形1数据写入流程示意图;
图12为SD/eMMC模式情形2数据写入流程示意图。
具体实施方式
本发明的实施提供一种SPI/SD/EMMC三合一Flash控制器,为使本领域技术人员更好地理解本发明的技术方案,下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细描述。通过参考附图描述的实施方式是示例性的,仅用于解释本发明,而不能解释为对本发明的限制。
如图1、图2、图3所示,本发明提供的SPI/SD/EMMC三合一Flash控制器在结构上,具体为:
本发明提供的一种多合一Flash控制器,所述控制器包括控制模式选择引脚、总线接口模块、微处理器模块、数据缓存模块、闪存管理控制模块;
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