[发明专利]半导体晶圆加工方法、系统及系统的清洁方法

说明书

本公开实施例提供一种半导体晶圆加工方法、系统及系统的清洁方法。上述半导体晶圆加工系统的清洁方法包括在一真空腔室中，将一清洁装置放置于一掩模静电座上方。通过上述掩模静电座将上述清洁装置的一聚合物材料层吸附于上述掩模静电座。当上述清洁装置吸附于上述掩模静电座且经过一第一时间时，将上述清洁装置与上述掩模静电座分离。

技术领域

本发明实施例涉及一种半导体晶圆加工系统的清洁方法，特别涉及掩模静电座的清洁方法。

背景技术

半导体集成电路(IC)产业已快速成长一段时日。IC材料与设计的技术进步，使每一代的IC比前一代的IC更小且其电路更复杂。新一代的IC具有较大的功能密度(比如固定芯片面积中的内连线元件数目)，与较小的尺寸 (比如制程形成的最小构件或连线)。制程尺寸缩小往往有利于增加制程效率并降低相关成本。制程尺寸缩小会增加制程复杂度，但制程尺寸缩小的优点显而易见，因此需要更小的IC制程。举例来说，对高分辨率光刻制程的需求持续成长。

光刻技术之一为极紫外光(EUV)光刻技术。极紫外光光刻技术利用极紫外光曝光掩模，以于基板上形成图案。一般而言，极紫外光光刻技术所用的掩模称作极紫外光(EUV)掩模，而极紫外光光刻技术所用的光波长介于约 1nm至约100nm之间。

现有的光刻技术通常适用于特定目的，而无法用于所有领域。举例来说，重复使用极紫外光刻制程中的极紫外光掩模将产生一些问题。

发明内容

本发明实施例提供一种半导体晶圆加工系统的清洁方法。上述半导体晶圆加工系统的清洁方法包括在一真空腔室中，将一清洁装置放置于一掩模静电座上方。上述半导体晶圆加工系统的清洁方法还包括通过上述掩模静电座将上述清洁装置的一聚合物材料层吸附于上述掩模静电座。上述半导体晶圆加工系统的清洁方法还包括当上述清洁装置吸附于上述掩模静电座且经过一第一时间时，将上述清洁装置与上述掩模静电座分离。

本发明实施例提供一种半导体晶圆加工方法。上述半导体晶圆加工方法包括在一真空腔室中，将一清洁装置放置于一掩模静电座上方。上述半导体晶圆加工方法还包括通过上述掩模静电座将上述清洁装置的一聚合物材料层吸附于上述掩模静电座。上述半导体晶圆加工方法还包括当上述清洁装置吸附于上述掩模静电座后，将一半导体晶圆放置于一晶圆座上方。上述半导体晶圆加工方法又包括对上述半导体晶圆进行一第一半导体制程。上述半导体晶圆加工方法再包括进行上述第一半导体制程之后，将上述清洁装置与上述掩模静电座分离，且将上述半导体晶圆与上述晶圆座分离。

本发明实施例提供一种半导体晶圆加工系统。上述半导体晶圆加工系统包括一真空腔室、一第一清洁装置、一掩模静电座、一传送装置和一控制器。上述第一清洁装置设置于上述真空腔室内。上述第一清洁装置包括一第一基板、一反射结构、一保护层、一吸收层、一导电层和一第一聚合物材料层。上述第一基板的材质包括一低热膨胀材料。上述反射结构设置于上述基板的一前侧表面上方。上述保护层设置于上述反射结构上方。上述吸收层设置于上述保护层上方。上述导电层设置于上述基板的一后侧表面上方。上述第一聚合物材料层，设置于上述导电层上方。上述掩模静电座设置于上述真空腔室内。上述传送装置设置于上述真空腔室内以选择性地将上述第一清洁装置放置于上述掩模静电座上方。上述控制器设置于上述真空腔室内以控制上述掩模静电座与上述传送装置。上述掩模静电座通过静电吸附上述第一清洁装置。

附图说明

图1A、图1B为依据一些实施例的半导体晶圆加工系统的清洁装置的示意图。

图2为依据一些实施例的半导体晶圆加工系统的方框图。

图3A为依据一些实施例的半导体晶圆加工系统的掩模静电座的俯视示意图。

图3B为沿图3A的A-A’切线的剖面图，其显示依据一些实施例的半导体晶圆加工系统的掩模静电座的剖面示意图。

图4为依据一些实施例的半导体晶圆加工系统的反射掩模的示意图。