[发明专利]一种基准电压源以及包括其的基准电流源有效

专利信息
申请号: 201710855132.6 申请日: 2017-09-20
公开(公告)号: CN107831819B 公开(公告)日: 2020-12-11
发明(设计)人: 覃超 申请(专利权)人: 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司
主分类号: G05F3/26 分类号: G05F3/26
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 310051 浙江*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 基准 电压 以及 包括 电流
【权利要求书】:

1.一种基准电压源,用以产生基准电压信号,其特征在于,包括自偏置电路,电压产生电路,其中,

在启动状态时,所述自偏置电路根据外部的启动电流信号产生第一电流信号;所述电压产生电路接收所述第一电流信号,并据以拉升所述基准电压信号;

当所述基准电压信号上升至一预定值时,所述电压产生电路产生第二电流信号以根据所述第二电流信号控制所述启动电流信号关断,并控制所述自偏置电路输出一偏置电流,其中所述偏置电流与所述启动电流信号无关,且与所述第二电流信号成比例。

2.根据权利要求1所述的基准电压源,其特征在于,在所述启动状态结束后,所述基准电压信号具有零温度特性。

3.根据权利要求1所述的基准电压源,其特征在于,所述自偏置电路根据所述第二电流信号产生第三电流信号。

4.根据权利要求3所述的基准电压源,其特征在于,所述基准电压源还包括一启动电路,所述启动电路接收所述启动电流信号,并与所述自偏置电路连接以接收所述第三电流信号,所述启动电路根据所述启动电流信号和所述第三电流信号控制所述启动状态。

5.根据权利要求1所述的基准电压源,其特征在于,所述自偏置电路接收输入电源信号并将其转换为一预偏置电压,所述预偏置电压作为电压产生电路的供电电压。

6.根据权利要求5所述的基准电压源,其特征在于,所述自偏置电路包括第一镜像支路,第二镜像支路和一电流源,用以产生所述第一电流信号或所述偏置电流;

所述第一镜像支路和所述第二镜像支路连接,用以得到与流过所述第二镜像支路成比例的电流;所述电流源和所述第一镜像支路连接,用以得到与流过所述第一镜像支路成比例的所述第一电流信号或所述偏置电流。

7.根据权利要求6所述的基准电压源,其特征在于,

所述第一镜像支路包括依次串联连接的第四P型晶体管、第五P型晶体管、第五N型晶体管和第三N型晶体管;

所述第二镜像支路包括串联连接的第八P型晶体管和第四N型晶体管,所述第四N型晶体管和所述第三N型晶体管构成电流镜结构;其中所述第八P型晶体管的栅极连接到所述电压产生电路;

所述电流源包括串联连接的第六P型晶体管和第七P型晶体管;所述第六P型晶体管、第七P型晶体管分别和所述第四N型晶体管、所述第五N型晶体管构成电流镜结构;

所述第六P型晶体管和所述第四P型晶体管的源极共同接收所述输入电源信号;所述第五N型晶体管、所述第八P型晶体管和所述第七P型晶体管的公共连接端作为所述自偏置电路的输出端以输出所述预偏置电压作为所述电压产生电路的供电电压。

8.根据权利要求7所述的基准电压源,其特征在于,所述第五N型晶体管,第五P型晶体管和第七P型晶体管均为高压晶体管。

9.根据权利要求1所述的基准电压源,其特征在于,所述电压产生电路包括基准电路,控制电路和输出电路,

在所述启动状态时,所述输出电路根据所述第一电流信号拉升所述基准电压信号;当所述基准电压信号上升至一预定值时,所述控制电路工作,并且

所述基准电路、所述输出电路和所述控制电路形成负反馈回路,使得所述电压产生电路输出的所述基准电压信号为恒定值。

10.根据权利要求9所述的基准电压源,其特征在于,所述输出电路包括串联连接的第九P型晶体管和第三电阻;

所述第九P型晶体管的源极连接至所述自偏置电路的输出端,栅极和漏极共同连接至所述第三电阻的一端并作为所述基准电压信号的输出端;

所述第三电阻的另一端连接至地;

在所述启动状态时,所述第一电流信号流经所述第九P型晶体管,并通过在所述第三电阻上产生压降以拉升所述基准电压信号。

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