[发明专利]一种基于液晶电光波导的光学交叉互连器件有效

专利信息
申请号: 201710855251.1 申请日: 2017-09-20
公开(公告)号: CN107688250B 公开(公告)日: 2020-07-03
发明(设计)人: 张需明;李腾浩;陈庆明 申请(专利权)人: 香港理工大学深圳研究院
主分类号: G02F1/13 分类号: G02F1/13;G02F1/1334;G02F1/1343;G02F1/1337;G02F1/1333
代理公司: 长沙星耀专利事务所(普通合伙) 43205 代理人: 许伯严
地址: 518057 广东省深圳市南山区高新技术*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 液晶 电光 波导 光学 交叉 互连 器件
【权利要求书】:

1.一种基于液晶电光波导的光学交叉互连器件,包括光学交叉互连器件本体,其特征在于:所述光学交叉互连器件本体由基于液晶电光波导(103)的光开关(1)阵列组成,每个所述光开关(1)配置连接一个输入端口(2)和一个输出端口(3),所述光学交叉互连器件本体的表层设为上层SiO2层(4),所述上层SiO2层(4)的下方设有共地层(5),所述共地层(5)的下方设有上层取向膜层(6),所述上层取向膜层(6)的下方设有液晶层(7),所述液晶层(7)的下方设有下层取向膜层(8),所述下层取向膜层(8)的下方设有绝缘层(11),所述绝缘层(11)的内部设有驱动电极层(9)、金属防护层(10)和CMOS电开关阵列层(12),所述驱动电极层(9)与CMOS电开关阵列层(12)平行间隔设置,所述驱动电极层(9)与CMOS电开关阵列层(12)之间设有金属防护层(10),所述CMOS电开关阵列层(12)设置在硅基底(13)的上表面上。

2.根据权利要求1所述的一种基于液晶电光波导的光学交叉互连器件,其特征在于:所述光开关(1)阵列集成于同一具有CMOS电路的硅基底(13)。

3.根据权利要求1所述的一种基于液晶电光波导的光学交叉互连器件,其特征在于:每个所述光开关(1)均由液晶电光波导(103)和液晶芯波导(102)两部分级联构成,所述液晶电光波导(103)和液晶芯波导(102)平行间隔设置在多聚物包层(101)的内部。

4.根据权利要求3所述的一种基于液晶电光波导的光学交叉互连器件,其特征在于:所述液晶电光波导(103)部分设为一层连续的液晶层(7),且液晶电光波导(103)的结构和路径由驱动电极的形状和路径进行定义。

5.根据权利要求3所述的一种基于液晶电光波导的光学交叉互连器件,其特征在于:所述液晶芯波导(102)的结构为在低折射率多聚物包层(101)中填充液晶,所述多聚物包层(101)包括多聚物包层本体(1011),所述多聚物包层(101)本体的内部设有与液晶芯波导(102)相对应的液晶流道(1012)、与液晶电光波导(103)相对应的液晶空腔(1013),以及上一级电开关的液晶芯波导(1014)。

6.根据权利要求1所述的一种基于液晶电光波导的光学交叉互连器件,其特征在于:所述驱动电极层(9)的绝缘部分(901)内设有直波导驱动电极(902),相邻两个所述直波导驱动电极(902)之间两个分支波导驱动电极(903)连接。

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