[发明专利]一种大模场改进型多层沟槽光纤在审

专利信息
申请号: 201710857152.7 申请日: 2017-09-20
公开(公告)号: CN107367788A 公开(公告)日: 2017-11-21
发明(设计)人: 宁提纲;马绍朔;李晶 申请(专利权)人: 北京交通大学
主分类号: G02B6/02 分类号: G02B6/02
代理公司: 北京卫平智业专利代理事务所(普通合伙)11392 代理人: 董琪
地址: 100044 北*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 大模场 改进型 多层 沟槽 光纤
【权利要求书】:

1.一种具有大模场面积的改进型多层沟槽光纤,其特征为:该光纤中心为高折射率纤芯(1),由内到外分布M×N个被泄露通道分割的低折射率沟槽,(11,21,……,M1)、(12,22,……,M2)、……、(1N,2N,……,MN),最外面是外包层(3);其中1≤N≤6,1≤M≤4。

2.根据权利要求1所述的光纤,其特征为:低折射率沟槽(11,21,……,M1)、(12,22,……,M2)、……、(1N,2N,……,MN)的折射率相等。高折射率纤芯(1)的折射率大于低折射率沟槽(11,21,……,M1)、(12,22,……,M2)、……、(1N,2N,……,MN)的折射率,大于外包层(3)的折射率。

3.根据权利要求1所述的光纤,其特征为:所有低折射率沟槽厚度相等,所有低折射率沟槽之间的距离相等,所有泄露通道的宽度相等。其中纤芯直径小于50微米,低折射率沟槽厚度大于1微米小于3微米,低折射率沟槽之间的距离大于5微米小于20微米,泄露通道的宽度大于1微米小于10微米。

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