[发明专利]用于数字成像系统中的多传感器像素架构

权利要求书

1.一种用于数字成像系统中的探测器元件，所述探测器元件包括：

至少一个半导电层，所述至少一个半导电层用于吸收入射到所述至少一个半导电层的相对侧面上的辐射；以及

电极组，所述电极组位于所述至少一个半导电层的一侧上以用于传送与所述至少一个半导电层所吸收的辐射相关联的信号；

其中所述信号被传送至读出电子器件组。

2.根据权利要求1所述的探测器元件，其中，所述电极组包括：

检测电极；以及

偏置电极。

3.根据权利要求2所述的探测器元件，其中，所述检测电极和所述偏置电极横向间隔开。

4.根据权利要求1所述的探测器元件，进一步包括阻挡层，所述阻挡层位于所述电极组与所述半导电层之间。

5.根据权利要求1所述的探测器元件，其中，所述半导电层包括非晶硅、硫化钼、氧化铟镓锌、多晶硅、非晶硒、碘化汞、氧化铅、微晶硅、纳米晶硅、单晶硅、苝四甲酸双苯并咪唑PTCBI、硅纳米线和酞菁铜CuPc中的至少一种。

6.根据权利要求1所述的探测器元件，其中，所述探测器元件偶接到读出电路元件。

7.根据权利要求6所述的探测器元件，其中，所述读出电路元件包括晶体管开关电路、有源像素传感器电路和光子计数像素电路中的至少一种。

8.根据权利要求4所述的探测器元件，其中，所述阻挡层包括非晶氮化硅、非晶氧化硅、非晶氮氧化硅、聚酰亚胺、PVK、苯并环丁烯BCB、透明金属氧化物和聚苯乙烯中的至少一种。

9.根据权利要求1所述的探测器，其中，所述电极中的至少一个是透明的。

10.一种用于数字成像系统的探测器元件，所述探测器元件包括：

至少一个顶电极金属-半导体-金属MSM探测器；以及

至少一个底电极MSM探测器；

其中所述至少一个顶电极MSM探测器和所述至少一个底电极MSM探测器共用公共半导电层。

11.根据权利要求10所述的探测器元件，其中，所述顶电极MSM探测器包括：

所述半导电层；以及

顶电极MSM探测器的电极组，所述顶电极MSM探测器的电极组图形化在所述半导电层的顶电极侧上。

12.根据权利要求11所述的探测器元件，其中，所述顶电极MSM探测器进一步包括：

阻挡层，所述阻挡层沉积在所述半导电层与所述顶电极MSM探测器的电极组之间。

13.根据权利要求12所述的探测器元件，其中，所述顶电极MSM探测器的电极组横向间隔开。

14.根据权利要求11所述的探测器元件，其中，所述底电极MSM探测器包括：

所述半导电层；以及

底电极MSM探测器的电极组，所述底电极MSM探测器的电极组图形化在所述半导电层的底侧上，所述半导电层的底侧与所述半导电层的顶侧相对。

15.根据权利要求14所述的探测器元件，其中，所述底电极MSM探测器进一步包括：

阻挡层，所述阻挡层沉积在所述底电极MSM探测器的电极组与所述半导电层之间。

16.根据权利要求14所述的探测器元件，其中，所述顶电极MSM探测器的电极组与所述底电极MSM探测器的电极组共用公共电极。

17.根据权利要求1所述的探测器元件，进一步包括闪烁体组，所述闪烁体组放置在所述半导电层的顶侧和底侧上。

18.根据权利要求10所述的探测器元件，进一步包括闪烁体组，所述闪烁体组与所述顶电极MSM探测器和所述底电极MSM探测器中的至少一个邻接。

19.根据权利要求18所述的探测器元件，其中，所述闪烁体组内的闪烁体放置在所述顶电极MSM探测器和所述底电极MSM探测器中的至少一个的顶侧和底侧上。

20.根据权利要求19所述的探测器元件，进一步包括光纤面板，所述光纤面板位于所述闪烁体组内的两个闪烁体之间。