[发明专利]深刻蚀切割道倒装LED芯片及制备方法、LED显示装置

权利要求书

1.一种深刻蚀切割道倒装LED芯片的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤S1，清洗LED外延片；其中，LED外延片衬底以上依次包括n-GaN层、InGaN/GaN量子阱层、p-AlGaN电子阻挡层、p-GaN层和p电极接触层；

步骤S2，对LED外延片进行光刻，形成周期性分布的平台图形，得到LED芯片预设的尺寸和形状、切割道以及用于制备n电极的圆孔图案，然后通过ICP工艺刻蚀圆孔使其深度至n-GaN层；

步骤S3，在p电极接触层上表面蒸镀ITO电流扩展层；

步骤S4，采用ICP工艺深刻蚀切割道至衬底表面；

步骤S5，在ITO电流扩展层上表面、LED外延片侧壁及圆孔内壁蒸镀SiO₂钝化层，然后光刻并通过化学腐蚀清洗干净圆孔底部和p电极接触层的SiO₂钝化层；

步骤S6，在圆孔内蒸镀n电极层，在n电极层上蒸镀反射层，在ITO电流扩展层上蒸镀p电极层；

步骤S7，研磨减薄衬底，然后沿着切割道采用激光划片，最后采用裂片机沿着切割道裂片，完成倒装结构LED芯片的制作。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，每个所述平台图形上的圆孔个数为1～3个；所述圆孔深度范围为

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述ITO电流扩展层的厚度为

和/或

所述SiO2钝化层的厚度为

和/或

所述p电极层的厚度为

和/或

所述反射层的厚度为

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述采用ICP工艺深刻蚀切割道至衬底表面时，刻蚀深度为

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S7中将衬底研磨减薄至

6.一种倒装LED芯片，其特征在于，所述倒装LED芯片包括：

LED外延片，所述LED外延片由下至上依次包括p电极接触层、p-GaN层、p-AlGaN电子阻挡层、InGaN/GaN量子阱层、n-GaN层和衬底；

多个从p电极接触层刻蚀至n-GaN层中间的圆孔，所述圆孔用于制备n电极；

多个切割道，所述切割道从p电极接触层刻蚀至衬底下表面；

设置于p电极接触层下表面的ITO电流扩展层；

设置于ITO电流扩展层下表面、LED外延片侧壁及圆孔内侧壁的SiO₂钝化层；

设置于圆孔内的n电极层，设置于n电极层下的反射层及设置于ITO电流扩展层下的p电极层。

7.根据权利要求6所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述圆孔个数为1～3个，所述圆孔深度范围为

8.根据权利要求6所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述ITO电流扩展层的厚度为

和/或

所述SiO2钝化层的厚度为

和/或

所述p电极层的厚度为

和/或

所述反射层的厚度为

9.根据权利要求6所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述切割道从p电极接触层刻蚀至衬底下表面的刻蚀深度为

10.一种LED显示装置，其特征在于，所述LED显示装置包括权利要求6至9中任一权利要求所述的倒装LED芯片。