[发明专利]一种基于透明导电氧化物的偏振不敏感的电光强度调制器在审
| 申请号： | 201710857897.3 | 申请日： | 2017-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN107741656A | 公开（公告）日： | 2018-02-27 |
| 发明（设计）人： | 仇晓明;李艳萍;张帆 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | G02F1/01 | 分类号： | G02F1/01 |
| 代理公司： | 北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙)11200 | 代理人： | 司立彬 |
| 地址： | 100871 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 透明 导电 氧化物 偏振 敏感 电光 强度 调制器 | ||
【权利要求书】：
1.一种基于透明导电氧化物的偏振不敏感的电光强度调制器，其特征在于，包括基底层，所述基底层上设置有波导层，所述波导层为脊型波导；所述脊型波导的脊型凸起区覆盖介质层；所述波导层的波导区两侧上表面分别设置一电极，即第一电极、第二电极；所述介质层上覆盖透明导电氧化物层，所述透明导电氧化物层上设置第三电极。
2.如权利要求1所述的电光强度调制器，其特征在于，所述介质层由绝缘材料制成。
3.如权利要求1所述的电光强度调制器，其特征在于，所述第一电极、第二电极为能与所述波导层形成欧姆接触的金属。
4.如权利要求1所述的电光强度调制器，其特征在于，所述第三电极为能与所述透明导电氧化物层形成欧姆接触的金属。
5.如权利要求1所述的电光强度调制器，其特征在于，所述基底层为氧化硅，所述波导层为硅，所述脊型波导的平板厚度为30nm，脊型区高度为195nm，脊型区宽度为270nm。
6.如权利要求5所述的电光强度调制器，其特征在于，所述介质层为氧化铪，厚度为5nm。
7.如权利要求1所述的电光强度调制器，其特征在于，所述第一电极、第二电极、第三电极均为铝电极。
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