[发明专利]一种制备磁性铁锰硅基形状记忆合金的方法有效
| 申请号： | 201710858157.1 | 申请日： | 2017-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN107699667B | 公开（公告）日： | 2019-06-28 |
| 发明（设计）人： | 彭华备;王勇宁;文玉华 | 申请（专利权）人： | 四川大学 |
| 主分类号： | C21D6/00 | 分类号： | C21D6/00;C22C38/02;C22C38/04;C22C38/06;C22C38/08;C22C38/10;C22C38/12;C22C38/14;C22C38/44;C22C38/46;C22C38/48;C22C38/50;C22C38/52 |
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| 地址： | 610065 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 铁锰硅基形状记忆合金 形状记忆合金 制备 磁性铁 铁素体 锰硅 形状记忆效应 单相区 双功能 空冷 水冷 油冷 | ||
1.一种制备磁性铁锰硅基形状记忆合金的方法，所述铁锰硅基形状记忆合金含有Fe、Mn、Si和C元素，并包含Cr、Ni、Ti、Nb、Cu、Co、V、Mo、Al和N元素中的一种或多种，合金中各元素的重量百分比含量为：Mn 12~32%，Si 4~7%，Cr 0~14%，Ni 0~8%，Ti 0~1%，Nb 0~2%，Cu 0~1%，Co 0~2%，V 0~2%，Mo 0~2%，Al 0~3%，C 0.01~0.2%，N 0~0.2%，余为Fe和不可避免的杂质，其特征在于，将铁锰硅基形状记忆合金在真空度≤1Pa的环境下用1000℃~1100℃处理≥30分钟，随后空冷或油冷或水冷至室温；上述方法制备的磁性铁锰硅基形状记忆合金的表面有一层铁素体。
2.根据权利要求1所述的一种制备磁性铁锰硅基形状记忆合金的方法，其特征在于，将铁锰硅基形状记忆合金在真空度≤2.0×10-1Pa的环境下处理。
3.根据权利要求1所述的一种制备磁性铁锰硅基形状记忆合金的方法，其特征在于，将铁锰硅基形状记忆合金在真空环境下处理时间≥2小时。
4.根据权利要求1所述的一种制备磁性铁锰硅基形状记忆合金的方法，其特征在于，磁性铁锰硅基形状记忆合金表面的铁素体层的平均厚度≥3微米。
5.根据权利要求4所述的一种制备磁性铁锰硅基形状记忆合金的方法，其特征在于，磁性铁锰硅基形状记忆合金表面的铁素体层的平均厚度≥21微米。
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