[发明专利]一种颗粒硅籽晶制备系统及方法有效
| 申请号： | 201710858756.3 | 申请日： | 2017-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN107500297B | 公开（公告）日： | 2018-06-01 |
| 发明（设计）人： | 张宝顺;王生红;鲍守珍;蔡延国;宗冰;王体虎 | 申请（专利权）人： | 亚洲硅业（青海）有限公司;青海省亚硅硅材料工程技术有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/021 | 分类号： | C01B33/021 |
| 代理公司： | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人： | 齐海迪 |
| 地址： | 810007 青海省西*** | 国省代码： | 青海;63 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 多晶硅 多晶硅块 颗粒硅 籽晶 多晶硅棒 制备系统 液滴 球形液滴 熔融 制备 破碎 表面张力作用 制备技术领域 多晶硅颗粒 分散装置 激光破碎 冷却凝固 破碎装置 熔融装置 熔融状态 无接触式 物料损失 激光器 高球形 硅粉尘 硅籽晶 晶体硅 中颗粒 球度 加热 破损 引入 | ||
1.一种颗粒硅籽晶制备系统，其特征在于，包括：
用于破损多晶硅棒的破碎装置，所述破碎装置包括激光器；
用于将破损好的固体硅料熔融的熔融装置，所述熔融装置包括具备有导流口的容纳腔以及所述容纳腔连接的加热装置；
用于将经所述导流口流出的熔融多晶硅分散为多晶硅液滴的分散装置，所述分散装置靠近所述导流口设置。
2.根据权利要求1所述的颗粒硅籽晶制备系统，其特征在于：
所述破碎装置还包括具备有破碎腔室的破碎箱体，所述破碎箱体开设有连通所述破碎腔室的高纯气体置换口；所述激光器设置在所述破碎腔室内；所述破碎箱体的底部还设置有连通所述破碎腔室的硅料出口。
3.根据权利要求2所述的颗粒硅籽晶制备系统，其特征在于：
所述破碎腔室内设置有过滤网板；所述过滤网板与所述激光器的加热部相对设置；所述过滤网板设置在所述激光器与所述硅料出口之间。
4.根据权利要求3所述的颗粒硅籽晶制备系统，其特征在于：
所述过滤网板传动连接有振动装置。
5.根据权利要求2所述的颗粒硅籽晶制备系统，其特征在于：
所述破碎箱体的底部设置为倾斜结构，所述硅料出口位于所述破碎箱体的底部的最低位置处。
6.根据权利要求1所述的颗粒硅籽晶制备系统，其特征在于：
所述加热装置采用感应线圈制成。
7.根据权利要求1所述的颗粒硅籽晶制备系统，其特征在于：
所述分散装置包括设置在所述导流口处的高压喷嘴以及与所述高压喷嘴相对设置的挡板。
8.根据权利要求1所述的颗粒硅籽晶制备系统，其特征在于：
所述颗粒硅籽晶制备系统还包括具备有收集腔室的颗粒硅籽晶收集装置，所述分散装置及所述导流口均设置在所述收集腔室内。
9.一种颗粒硅籽晶制备方法，其特征在于：
所述颗粒硅籽晶制备方法采用权利要求1至8任意一项所述的颗粒硅籽晶制备系统；所述制备颗粒硅籽晶的方法包括，
破碎步骤：多晶硅棒经激光器局部加热破碎为多晶硅块料；
熔融步骤：所述多晶硅块料经所述熔融装置加热至熔融状态，得到熔融多晶硅；
分散步骤：将所述熔融多晶硅经所述分散装置分散为多晶硅液滴；
冷却步骤：将所述多晶硅液滴在空中进行冷却凝固，得到颗粒硅籽晶。
10.根据权利要求9所述的颗粒硅籽晶制备方法，其特征在于
所述熔融步骤的所述熔融多晶硅的温度为1430℃至2230℃。
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