[发明专利]一种硅片少子寿命的测试装置在审
| 申请号： | 201710859782.8 | 申请日： | 2017-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN109541422A | 公开（公告）日： | 2019-03-29 |
| 发明（设计）人： | 汪燕;赵向阳 | 申请（专利权）人： | 上海新昇半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201306 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 刻蚀槽 硅片少子寿命 测试装置 硅片 机台 竖直固定 槽位 泄露 开口 容纳 伤害 | ||
【权利要求书】：
1.一种硅片少子寿命的测试装置，其特征在于，所述装置包括可容纳硅片的刻蚀槽，所述刻蚀槽的顶部具有开口，所述刻蚀槽的底部具有用于将所述硅片竖直固定于所述刻蚀槽中的槽位。
2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述刻蚀槽的底部为弧形。
3.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，还包括位于所述刻蚀槽外侧的朝向所述硅片表面的探测器。
4.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述刻蚀槽的宽度为2mm-3mm。
5.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述槽位的槽距为0.8mm-1mm。
6.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，还包括设置在所述刻蚀槽侧壁上的药液进口。
7.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，还包括设置在所述刻蚀槽侧壁上的水进口。
8.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，还包括设置在所述刻蚀槽底部的废液排口。
9.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，还包括用于密封所述刻蚀槽顶部开口的刻蚀槽顶盖。
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