[发明专利]一种超低频俘能器有效
| 申请号： | 201710859808.9 | 申请日： | 2017-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN107681862B | 公开（公告）日： | 2019-10-11 |
| 发明（设计）人： | 李平;唐健;丛炳龙;许诺;白鹏英;臧金良;史继涛;李国中 | 申请（专利权）人： | 北京机械设备研究所 |
| 主分类号： | H02K35/02 | 分类号： | H02K35/02;H02N2/18 |
| 代理公司： | 北京天达知识产权代理事务所(普通合伙) 11386 | 代理人： | 龚颐雯;张春 |
| 地址： | 100854 北京市海淀区永*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 俘能器 连接轴 压电复合梁 单摆组件 超低频 摆动端 定磁体 动磁体 机械能转化 封装壳体 负载应用 技术技术 输出能量 运动过程 轴向方向 转动连接 自由摆动 固定端 悬空端 转动端 可用 垂直 | ||
1.一种超低频俘能器，其特征在于，包括类单摆组件、压电复合梁、定磁体、动磁体和连接轴；
所述类单摆组件的转动端与连接轴转动连接，所述类单摆组件的摆动端沿连接轴的周向自由摆动，所述摆动端设有定磁体；
所述压电复合梁的固定端与连接轴固定连接，所述压电复合梁的悬空端设有动磁体；
所述类单摆组件的平面形状为扇形，所述类单摆组件的圆心角小于180°；
所述压电复合梁的厚度方向垂直于所述类单摆组件的平面；
相对于所述类单摆组件的平面，所述动磁体的中心高度不等于所述定磁体的中心高度；
或所述压电复合梁的厚度方向平行于所述类单摆组件的平面；
相对于所述类单摆组件的平面，所述动磁体的中心高度等于所述定磁体的中心高度。
2.根据权利要求1所述的超低频俘能器，其特征在于，所述类单摆组件包括扇形基底和凸台；
所述扇形基底的圆心端为转动端，所述扇形基底的圆弧端为摆动端；
所述凸台设于所述扇形基底的圆弧端，且朝向所述压电复合梁；
所述定磁体设于所述凸台朝向所述动磁体的表面。
3.根据权利要求1所述的超低频俘能器，其特征在于，所述超低频俘能器还包括套筒，所述压电复合梁的固定端与所述套筒固定连接，所述套筒固设在所述连接轴上，所述压电复合梁为多个，围绕所述套筒周向平均设置。
4.根据权利要求1所述的超低频俘能器，其特征在于，所述压电复合梁包括支撑梁以及依次层叠布置在支撑梁上的第一电极层、压电层和第二电极层；
所述第一电极层与负载的负极导线连接，所述第二电极层与负载的正极导线连接。
5.根据权利要求1所述的超低频俘能器，其特征在于，所述动磁体与所述定磁体之间的水平间距为1.5mm～4mm。
6.根据权利要求1至5任一项所述的超低频俘能器，其特征在于，所述超低频俘能器还包括与所述动磁体的位置相对应的线圈或驻极体。
7.根据权利要求6所述的超低频俘能器，其特征在于，所述超低频俘能器还包括封装壳体，所述封装壳体包围所述类单摆组件、压电复合梁、定磁体、动磁体和连接轴；
所述线圈包括壳体线圈和/或单摆线圈；
所述壳体线圈设于所述封装壳体朝向所述动磁体的表面；
所述单摆线圈设于所述类单摆组件朝向所述动磁体的表面。
8.根据权利要求6所述的超低频俘能器，其特征在于，所述超低频俘能器还包括封装壳体，所述封装壳体包围所述类单摆组件、压电复合梁、定磁体、动磁体和连接轴；
所述超低频俘能器包括驻极体，所述驻极体包括壳体驻极体和/或单摆驻极体；
所述壳体驻极体设于所述封装壳体朝向所述动磁体的表面；
所述单摆驻极体设于所述类单摆组件朝向所述动磁体的表面。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京机械设备研究所，未经北京机械设备研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710859808.9/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
