[发明专利]一种低温制备Ag电极测试BZT陶瓷的方法在审
| 申请号： | 201710859975.3 | 申请日： | 2017-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN107817283A | 公开（公告）日： | 2018-03-20 |
| 发明（设计）人： | 李玲霞;郑浩然;于仕辉;陈思亮;孙正 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | G01N27/30 | 分类号： | G01N27/30;C23C14/35;C23C14/18 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所12201 | 代理人： | 张宏祥 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 低温 制备 ag 电极 测试 bzt 陶瓷 方法 | ||
1.一种低温制备Ag电极测试BZT陶瓷的方法，具体步骤如下：
(1)采用固相烧结法制备BZT陶瓷
按BaZr0.2Ti0.8O3的化学计量比，称取原料BaCO3、ZrO2和TiO2，充分混合后压制成型为坯体，坯体置于电炉中于1350℃烧制成BZT陶瓷；
(2)将BZT陶瓷制品放入磁控溅射制品台上，装上金属银靶材；
(3)将磁控溅射系统的本底真空度抽至P＜1.0×10-3Pa；
(4)在步骤(3)系统中，使用Ar作为溅射气体，直流溅射电流为100～400mA，沉积时间为1500～7200s，在BZT陶瓷制品表面沉积得到厚度为1～4μm的Ag电极；
(5)取出样品；
(6)利用砂纸打磨BZT陶瓷制品侧面Ag包覆层，打磨后即制得用于测试BZT陶瓷的Ag电极。
2.根据权利要求1所述的一种低温制备Ag电极测试BZT陶瓷的方法，其特征在于，所述步骤(1)的原料纯度在99％以上。
3.根据权利要求1所述的一种低温制备Ag电极测试BZT陶瓷的方法，其特征在于，所述步骤(2)的金属银靶材纯度为99.99％。
4.根据权利要求1所述的一种低温制备Ag电极测试BZT陶瓷的方法，其特征在于，所述步骤(4)的溅射气体Ar的纯度在99.99％以上。
5.根据权利要求1所述的一种低温制备Ag电极测试BZT陶瓷的方法，其特征在于，所述步骤(4)通过调节直流溅射电流或者沉积时间控制Ag电极的厚度。
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