[发明专利]一种降低镁电解用熔体氯化镁中杂质含量的方法有效
| 申请号： | 201710860214.X | 申请日： | 2017-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN107587163B | 公开（公告）日： | 2019-05-24 |
| 发明（设计）人： | 苗庆东;朱福兴;马尚润;李开华 | 申请（专利权）人： | 攀钢集团研究院有限公司 |
| 主分类号： | C25C3/02 | 分类号： | C25C3/02;C22B34/12 |
| 代理公司： | 成都虹桥专利事务所(普通合伙) 51124 | 代理人： | 梁鑫 |
| 地址： | 610000 四川省成都市高*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 降低 电解 用熔体 氯化镁 杂质 含量 方法 | ||
1.降低镁电解用熔体氯化镁中杂质含量的方法，其特征在于：包括以下步骤：
A、将镁电解用熔体氯化镁加热至750±10℃，搅拌，静置沉降至上部澄清熔体MgO质量百分比含量≦0.10％；
B、将澄清熔体抽出并连续加入净化电解槽中，电解槽采用KCl-NaCl-CaCl2熔盐体系，熔体温度为690～730℃，石墨阳极和钢阴极，电解电压为2.8～5.5V，电极极距为30～60mm，电流密度为0.2～0.8A/cm2。
2.根据权利要求1所述的降低镁电解用熔体氯化镁中杂质含量的方法，其特征在于：步骤A中，所述的镁电解用熔体氯化镁中杂质按质量百分含量包括MgO：0.50～1.50％，全铁：0.05～0.50％，全钛：0.10～0.50％。
3.根据权利要求1所述的降低镁电解用熔体氯化镁中杂质含量的方法，其特征在于：步骤A中，静置沉降至上部澄清熔体MgO质量百分比含量≦0.08％。
4.根据权利要求1～3任一项所述的降低镁电解用熔体氯化镁中杂质含量的方法，其特征在于：步骤B中，所述的KCl-NaCl-CaCl2熔盐体系的成分按质量百分含量为KCl：45～60％，NaCl：10～30％，CaCl2：1～5％，MgCl2：10～25％，及不可避免的杂质，以上成分百分数之和为100％。
5.根据权利要求1所述的降低镁电解用熔体氯化镁中杂质含量的方法，其特征在于：步骤B中，所述的电解电压为2.8～5.0V，电极极距为30～60mm，电流密度为0.2～0.4A/cm2。
6.根据权利要求1、2、3或5中任一项所述的降低镁电解用熔体氯化镁中杂质含量的方法，其特征在于：步骤B中，电化学除杂控制指标为MgO质量百分比含量≦0.05％，Fe质量百分比含量≦0.01％，Ti质量百分比含量≦0.008％。
7.根据权利要求4所述的降低镁电解用熔体氯化镁中杂质含量的方法，其特征在于：步骤B中，电化学除杂控制指标为MgO质量百分比含量≦0.05％，Fe质量百分比含量≦0.01％，Ti质量百分比含量≦0.008％。
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