[发明专利]一种对内存进行三防工作的方法在审
申请号: | 201710861852.3 | 申请日: | 2017-09-21 |
公开(公告)号: | CN107728728A | 公开(公告)日: | 2018-02-23 |
发明(设计)人: | 赵大帅 | 申请(专利权)人: | 郑州云海信息技术有限公司 |
主分类号: | G06F1/18 | 分类号: | G06F1/18 |
代理公司: | 济南诚智商标专利事务所有限公司37105 | 代理人: | 李潇潇 |
地址: | 450018 河南省郑州市*** | 国省代码: | 河南;41 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 内存 进行 工作 方法 | ||
技术领域
本发明涉及内存维护技术领域,具体地说是一种对内存进行三防工作的方法。
背景技术
目前服务器产品的设计使用环境一般为温度10℃~35℃,湿度20%~80%。服务器在此设计环境内可以实现正常无故障运行;但当服务器在此温湿度临界值下长期工作或超过此温湿度下工作,即高温高湿环境下工作时,容易出现部分部件触点接触不良现象,其中内存触点为镀金设计,此时容易出现镀金层氧化、腐蚀。导致设备运行时无法识别内存现象,影响产品的正常工作。三防材料指的是为为电子产品防霉菌、防潮湿、防盐雾的材料,从而避免电子产品发生氧化或是腐蚀。
内存包括内存条和用于插接内存条的内存槽,内存触点包括位于内存条上的金属触点和位于内存槽中的金属触点。
现有技术中,工作人员通过毛刷蘸取三防材料,然后将三防材料通过毛刷刷在内存条的金属触点上,然后再将内存条插接到内存槽中。这种对内存做三防方式容易导致金属触点上的三防涂层稀薄的问题,导致三防效果。
发明内容
本发明的目的在于提供一种对内存进行三防工作的方法,用于解决金属触点上的三防涂层稀薄的问题。
本发明解决其技术问题所采取的技术方案是:
一种对内存进行三防工作的方法,具体包括以下步骤:
1)向内存槽中注入三防材料;
2)将内存条插接到所述内存槽中。
进一步地,注射到所述内存槽中的三防材料的体积占所述内存槽容积的三分之二。
进一步地,使用一种向内存槽中注射三防材料的设备向所述内存槽中注入三防材料;
所述一种向内存槽中注射三防材料的设备,包括控制器、位移装置、压力罐、载物桌和至少一个注射头,位移装置用于沿上、下、左、右、前和后六个方向移动注射头,注射头和所述压力罐之间管路连接,位于注射头和压力罐之间的管路上设有流量阀,载物桌上设有用于为电路板定位的定位装置,控制器用于控制所述位移装置和流量阀的动作。
进一步地,每一种型号的电路板分别对应的在所述控制器中设置一套指令,该程序用于在向内存槽中注入三防材料的时候控制位移装置和流量阀的动作。
进一步地,所述位移装置包括第一直线导轨机构、第二直线导轨机构和升降器,第一直线导轨机构包括第一导轨和滑动连接在第一导轨上的第一滑块,第二直线导轨机构包括第二导轨和滑动连接在第二导轨上的第二滑块,第二导轨连接在所述第一滑块上,第一导轨沿前后方向设置,第二导轨沿左右方向设置,升级机构连接在第二滑块上,升降器包括升降端,所述注射头设在升降端上。
进一步地,所述升降器包括连接部,连接部与所述第二滑块连接,所述压力罐设在所述连接部上。
进一步地,所述压力罐上设有用于向压力罐中注射三防材料的注射口。
进一步地,所述定位装置包括第一卡板和第二卡板,第一卡板呈“[”形,第二卡板呈“]”形。
本发明的有益效果是:
本发明提供的一种对内存进行三防工作的方法,由于三防材料被先注射到内存槽中,内存槽能够乘放更多的三防材料,所以在内存条插入到内存槽中之后,位于内存槽中的三防材料在内存条和内存槽之间能够形成一层比现有技术厚的三防膜,从而提高对内存的进行三防的效果。
附图说明
图1为一种向内存槽中注射三防材料的设备的结构示意图;
图2为图1中A部分的放大图;
图3为图2中B部分的放大图;
图中:1载物桌,11立柱,12第一卡板,13第二卡板,2第一导轨,21第一滑块,3第二导轨,31第二滑块,4升降器,5升降端,6连接部,7注射头,8压力罐,81流量阀,82注射口,9电路板,91内存槽。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例是本发明的一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
一种对内存进行三防工作的方法,具体包括以下两步:
1)向内存槽中注入三防材料;
2)将内存条插接到所述内存槽中。
在内存条插入到内存槽中之后,位于内存槽中的三防材料在内存条和内存槽之间能够形成一层比现有技术厚的三防膜,从而提高对内存的进行三防的效果。
注射到所述内存槽中的三防材料的体积占所述内存槽容积的三分之二。
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