[发明专利]一种压阻式MEMS加速度芯片及其制作方法

权利要求书

1.一种压阻式MEMS加速度芯片，其特征在于，包括多条支撑梁(1)、多条敏感梁(2)、质量块(3)和固支框(4)；

多条支撑梁(1)的几何尺寸相同，多条敏感梁(2)的几何尺寸相同；

质量块(3)通过多条敏感梁(2)和多条支撑梁(1)的连接固定于固支框(4)中心；多条敏感梁(2)对称式分布在质量块(3)与固支框(4)之间，且敏感梁(2)的上表面、质量块(3)的上表面和固支框(4)的上表面位于同一平面；多条支撑梁(1)对称式分布在质量块(3)与固支框(4)之间，且支撑梁(1)的下表面、质量块(3)的下表面和固支框(4)的下表面位于同一平面；

支撑梁(1)为4条，敏感梁(2)为8条；

质量块(3)上表面每条边的两端各设有1条敏感梁(2)，敏感梁(2)与相应边垂直；质量块(3)下表面每条边的中心各设有1条支撑梁(1)，支撑梁(1)与相应边垂直。

2.根据权利要求1所述的一种压阻式MEMS加速度芯片，其特征在于，支撑梁(1)和敏感梁(2)的长度相同、厚度相同，支撑梁(1)的宽度是敏感梁(2)宽度的2倍，质量块(3)上表面和下表面各边边长相同，且大于支撑梁(1)宽度的2倍。

3.根据权利要求1所述的一种压阻式MEMS加速度芯片，其特征在于，还包括多个力敏电阻(5)，多个力敏电阻(5)的阻值和尺寸相同，每个敏感梁(2)上表面的两端各设有1个力敏电阻(5)，多个力敏电阻(5)与金属电极和引线(6)组成惠斯通电桥。